[发明专利]电容器结构及包括其的半导体器件

权利要求书

1.一种电容器结构，包括：

包括电极垫和地垫的衬底；

在所述衬底上的多个电介质层，所述多个电介质层在所述衬底上处于不同的水平；

在所述多个电介质层中的至少两个电介质层中的多个导电图案层，所述多个电介质层中的所述至少两个电介质层是第一电介质层；

将所述多个导电图案层彼此连接的多个通路插塞；以及

在所述多个电介质层中的至少一个第二电介质层中的至少一个接触层，所述至少一个第二电介质层位于与所述至少两个第一电介质层不同的水平，并且所述至少一个接触层包括单个第一接触图案和单个第二接触图案，所述多个导电图案层经由所述单个第一接触图案电连接到所述电极垫并经由所述单个第二接触图案电连接到所述地垫，

其中所述多个导电图案层和所述至少一个接触层相对于所述衬底不在相同的水平处，

其中柱在所述多个导电图案层外部并分别电连接到所述电极垫和所述地垫，所述多个导电图案层不直接接触所述柱并经由位于所述至少一个接触层之上或之下的接触插塞电连接到所述至少一个接触层，所述至少一个接触层直接接触所述柱。

2.如权利要求1所述的电容器结构，其中，所述至少一个接触层在所述多个导电图案层之间，将面对所述至少一个接触层的两个导电图案层连接的通路插塞具有比将其它导电图案层彼此连接的通路插塞更大的高度。

3.如权利要求1所述的电容器结构，其中，所述接触插塞垂直于所述衬底的顶表面。

4.如权利要求3所述的电容器结构，其中，所述至少一个接触层在所述多个导电图案层之间，将面对所述至少一个接触层的两个导电图案层连接的通路插塞具有比所述接触插塞更大的高度。

5.如权利要求1所述的电容器结构，其中：

所述第一接触图案电连接到所述电极垫，以及

所述第二接触图案与所述第一接触图案电隔离并且电连接到所述地垫。

6.如权利要求5所述的电容器结构，其中，所述第一接触图案和所述第二接触图案在所述多个电介质层中的同一第二电介质层中。

7.如权利要求5所述的电容器结构，其中，所述第一接触图案和所述第二接触图案在所述多个电介质层中的不同的第二电介质层中，所述不同的第二电介质层相对于所述衬底处于不同的水平处。

8.如权利要求1所述的电容器结构，其中，所述多个导电图案层的每个包括：

电连接到所述电极垫的第一导电图案；以及

与所述第一导电图案电隔离并且电连接到所述地垫的第二导电图案。

9.如权利要求8所述的电容器结构，其中：

所述第一导电图案包括第一线图案和从所述第一线图案分叉的多个第一子线图案，以及

所述第二导电图案包括第二线图案和从所述第二线图案分叉的多个第二子线图案。

10.如权利要求9所述的电容器结构，其中：

所述第一线图案和所述第二线图案彼此平行，以及

所述多个第一子线图案和所述多个第二子线图案交替地布置。

11.如权利要求9所述的电容器结构，其中，所述多个第一子线图案的每个的宽度等于所述第二子线图案的每个的宽度。

12.如权利要求9所述的电容器结构，其中：

所述第一接触图案电连接到所述第一导电图案，以及

所述第二接触图案电连接到所述第二导电图案。

13.如权利要求12所述的电容器结构，其中，所述第一接触图案和所述第一线图案彼此垂直地对准，所述第二接触图案和所述第二线图案彼此垂直地对准。