[发明专利]一种温度检测电路在审
申请号: | 201810907562.2 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN108829176A | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 宋德夫 | 申请(专利权)人: | 长沙景嘉微电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567;H05B33/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410221 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 温度检测模块 温度系数 电阻 标准CMOS工艺 电源管理芯片 高阶曲率补偿 工艺参数变化 温度检测电路 电路结构 电压稳定 工艺成本 输出曲线 温度转化 电流镜 输出级 线性度 级联 掩膜 电路 垂直 应用 | ||
1.一种温度检测模块,其特征在于,包括电流源(Iref)、第一NPN管 (Q1)、第二NPN管(Q2)、第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5);第一NMOS管(N1)的源极、第二NMOS管(N2)的源极与第三电阻(R3)第一端相连接地;第一NMOS管(N1)的栅极、漏极与第二NMOS管(N2)的栅极相连,构成NMOS电流镜;第一PMOS管(P1)的漏极与第一NMOS管(N1)漏极相连;第二PMOS管(P2)的漏极与第二NMOS管(N2)的漏极相连;第一PMOS管(P1)的栅极、第三PMOS管(P3)的栅极、第二PMOS管(P2)的栅极、漏极相连,构成PMOS电流镜;第一PMOS管(P1)的源极、第一电阻(R1)的第一端、第四电阻(R4)的第一端相连;第二PMOS管(P2)的源极、第一NPN管(Q1)的发射极和第五电阻(R5)相连;第一NPN管(Q1)的基极、集电极、第一电阻(R1)的第二端与第二电阻(R2)的第二端相连接电源Vdd;第四电阻(R4)的第二端、第五电阻(R5)的第二端、电流源(Iref)的第一端和第二NPN管(Q2)的发射极相连;第二NPN管(Q2)的基极、集电极和电源Vdd相连;电流源Iref的第二端与地相连;第二电阻(R2)的阻值大小与第一电阻(R1)大小相等;第二电阻(R2)的第一端与第三PMOS管(P3)的源极相连;第三PMOS管(P3)的漏极与第三电阻(R3)第二端相连构成输出端。
2.一种温度检测模块,其特征在于,包括电流源(Iref),第一PNP管(Q1)、第二PNP管(Q2)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3) 、第四电阻(R4)、第五电阻(R5);第一PMOS管(P1)的源极、第二PMOS管(P2)的源极、第三电阻(R3)第一端和电流源Iref第一端相连接电源Vdd;第一PMOS管(P1)的栅极、漏极与第二PMOS管(P2)的栅极相连,构成PMOS电流镜;第一PMOS管(P1)的漏极与第一NMOS管(N1)漏极相连;第二PMOS管(P2)的漏极与第二NMOS管(N2)的漏极相连;第一NMOS管(N1)的栅极、第三NMOS管(N3)的栅极、第二NMOS管(N2)的栅极、漏极相连,构成NMOS电流镜;第一NMOS管(N1)的源极、第一电阻(R1)的第一端和第四电阻(R4)第一端相连;第二NMOS管(P2)的源极、第一PNP管(Q1)的发射极和第五电阻(R5)第一端相连;第一PNP管(Q1)的基极、集电极、第二PNP管(Q2)的基极、集电极、第一电阻(R1)的第二端和第二电阻(R2)的第二端相连接地;第四电阻(R4)第二端、第五电阻(R5) 第二端、电流源(Iref)第二端和第二PNP管(Q2)的发射极相连;第二电阻(R2)的阻值大小与第一电阻(R1)大小相等;第二电阻(R2)的第一端与第三NMOS管(N3)的源极相连;第三NMOS管(N3)的漏极与第三电阻(R3)第二端相连构成输出端。
3.一种温度检测模块,其特征在于,包括电流源(Iref),第一PNP管(Q1)、第二PNP管(Q2)、第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2);第一PMOS管(P1)的源极、第二PMOS管(P2)的源极、第三PMOS管(P3)源端和电流源Iref第一端相连接电源Vdd;第一PMOS管(P1)的栅极、第三PMOS管(P3)的栅极与第二PMOS管(P2)的栅极、漏极相连,构成PMOS电流镜;第一PMOS管(P1)的漏极与第一NMOS管(N1)漏极相连;第二PMOS管(P2)的漏极与第二NMOS管(N2)的漏极相连;第二NMOS管(N2)的栅极、第一NMOS管(N1)的栅极、漏极相连,构成NMOS电流镜;第二NMOS管(N2)的源极、第一PNP管(Q1) 的发射极和和第五电阻(R5)第一端相连;第一NMOS管(N1)的源极、第一电阻(R1)的第一端和第四电阻(R4)第一端相连;第一PNP管(Q1)的基极、集电极、第二PNP管(Q2)的基极、集电极、第一电阻(R1)的第二端与第二电阻(R2)的第二端相连接地;第四电阻(R4)第二端、第五电阻(R5) 第二端、电流源(Iref)第二端和第二PNP管(Q2)的发射极相连;第三PMOS管(P3)的漏极与第二电阻(R2)第一端相连构成输出端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙景嘉微电子股份有限公司,未经长沙景嘉微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810907562.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种带曲率补偿的带隙基准电路
- 下一篇:一种新型电磁稳压节能装置