[发明专利]晶片图分析器及分析晶片图的方法在审
| 申请号: | 201810902836.9 | 申请日: | 2018-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN109390245A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
| 发明(设计)人: | 朴民哲;高汀勳;朴志庸;李济铉;金大新 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G06K9/62;G06T7/00 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片图 分析晶片 有效图案 分析器 信道 非监督学习 自动编码 分类 晶片 图像 | ||
1.一种分析半导体晶片的晶片图的方法,其特征在于,所述方法包括:
产生多个第一晶片图,所述多个第一晶片图各自显示出对于多个信道中的每一者而言对应的第一晶片的特性;
对所述多个第一晶片图一同进行自动编码,以提取所述半导体晶片的第一特征;
判断所述第一特征是否是用于进行分类的有效图案;
当所述第一特征是有效图案时,基于非监督学习对所述第一特征的类型进行分类;以及
提取被分类成与所述第一特征同一类型的特征的代表性图像。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,判断所述第一特征是否是所述有效图案包括:
重构所述第一特征以产生第一经重构晶片图;
使用所述第一经重构晶片图及所述第一晶片图导出重构误差;以及
利用所述重构误差判断所述第一特征是否是所述有效图案。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一晶片图包括具有良好值或不良值的多个单元,且
判断所述第一特征是否是所述有效图案包括考虑所述重构误差及具有所述不良值的单元的数目。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,判断所述第一特征是否是所述有效图案包括:
判断所述第一特征是否是包括所述第一特征的多个特征群组中具有高重构误差的特征。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述第一特征的所述类型进行分类包括:
将包括所述第一特征的多个特征群组集群成集群群组。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,提取所述代表性图像包括:
产生所述集群群组的集群中心的特征;以及
对所述特征进行重构以提取所述代表性图像。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
指定所述代表性图像的代码并将所述代码存储在存储装置中。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
当所述第一特征不是有效图案时,判断所述第一特征是否是异常图案。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,判断所述第一特征是否是异常图案包括:
将预先存储的异常图案样本与所述第一特征进行比较。
10.一种分析半导体晶片的晶片图的方法,其特征在于,所述方法包括:
分别为多个晶片形成多个晶片图;
对所述多个晶片图进行自动编码,以提取与所述多个晶片对应的多个特征;
排除所述多个特征中对于分类而言无效的无效特征;
利用非监督学习将所述多个特征中的有效特征分类成多种类型;
产生与所述多种类型各自的中心对应的多个中心特征;以及
对所述多个中心特征进行重构以输出代表性图像。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,具有不同特性的多个晶片图对应于单个晶片。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,提取所述多个特征包括:
对与所述单个晶片对应的所有所述多个晶片图同时进行自动编码,以从每一晶片提取一个特征。
13.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,排除所述多个特征中的所述无效特征包括:
利用每一特征的重构误差确定有效性。
14.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,还包括:
判断所述多个特征中的所述无效特征是否是异常图案并将所述无效特征存储在存储装置中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





