[发明专利]CdSQDs@CdIn2有效

专利信息
申请号: 201810902481.3 申请日: 2018-08-09
公开(公告)号: CN109092330B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 李莉;刘雁南;王润;田宇 申请(专利权)人: 齐齐哈尔大学
主分类号: B01J27/047 分类号: B01J27/047;B01J37/10;B01J37/34;C01B3/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 161006 黑*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: cdsqds cdin base sub
【说明书】:

发明公开了CdS QDs@CdIn2S4/CdWO4光催化剂的合成方法,属于化工行业技术领域。采用硫脲(CH4N2S),钨酸钠(Na2WO4),硝酸铟(In(NO3)3),醋酸镉(Cd(CH3COO)2)四种化学试剂原料混合放入二次蒸馏水中超声均匀,搅拌均匀后,通过微波反应器微波辐射反应后,得到CdIn2S4/CdWO4。加入使用醋酸镉(Cd(CH3COO)2),硫脲(CH4N2S),巯基丙酸(C3H6O2S)合成的CdS QDs前驱体溶液后,再通过二次微波辐射,烘干得到最终产物CdS QDs@CdIn2S4/CdWO4复合光催化剂。对其晶型结构、微观结构、光催化活性进行了测定,产品性能在降解有机污染物甲基橙和光解水制氢的光催化方面有很大提高。采用微波辅助法,具有反应迅速、产物晶相较好、操作方法简单实用等特点,试样和批量生产性能稳定可靠。

技术领域

本发明涉及CdS QDs@CdIn2S4/CdWO4光催化剂的合成方法,属于化工行业技术领域。

背景技术

传统能源消耗及其引起的相关环境问题,引发了人们对可再生和清洁能源的迫切需求。目前,许多半导体光催化剂已经应用于光解水制氢中,但是它们又各自的缺点却限制了其在实际中的应用。通常情况下,量子点具有可以利用热电子或用单一高能光子产生多个电荷载流子的特性,从而提高材料的光催化性能。而近年来,金属硫化物和钨酸盐因它们独特的光学和电学性质而备受关注,并且它们由于其合适的带隙和催化功能而在光催化中得到了研究。硫化镉(CdS)作为一个典型的Ⅱ-Ⅳ型半导体纳米结构可以进行可见光催化剂降解,同时CdS也是用于光解水制氢最有希望的材料之一,因为其在可见光下具有高活性,窄带隙(Eg = 2.4 eV)和用于将质子还原成H2的充分的负带边电位。CdWO4可以被高于其带隙的光能激发以诱导富能电子(e-)-空穴(h+)对,使得能通过光催化,使污染物降解成无毒的二氧化碳成分。而半导体材料CdIn2S4由于带隙较窄(1.7 eV),导带位置(-0.76 eV)更负而成为提高复合材料可见光响应的一种理想的材料。窄带隙的CdS和CdIn2S4与较宽带隙的CdWO4,三者者复合可构建能级匹配的多途径电子传递的复合材料,使得更易通过光解水制氢。

发明内容

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