[发明专利]一种用于紫外可见波段的氰尿酸钡钙双折射晶体及制备方法和应用

权利要求书

1.一种用于紫外可见波段的氰尿酸钡钙双折射晶体，其特征在于，所述氰尿酸钡钙双折射晶体的化学式为Ba₂Ca(C₃N₃O₃)₂，属于三方晶系，空间群为晶胞参数为Z＝3；透过范围240-5000nm，在λ＝532nm处折射率计算值n_o＝2.008，n_e＝1.641，Δn＝0.367。

2.一种权利要求1所述用于紫外可见波段的氰尿酸钡钙双折射晶体的制备方法，所述制备方法为采用高温熔体自发结晶法生长氰尿酸钡钙双折射晶体或采用坩埚下降法生长氰尿酸钡钙双折射晶体。

3.根据权利要求2所述用于紫外可见波段的氰尿酸钡钙双折射晶体的制备方法，其特征在于，所述高温熔体自发结晶法生长氰尿酸钡钙双折射晶体，包括如下步骤：

将含钡化合物、含钙化合物和含氰酸根化合物按其中钡：钙：氰酸根的摩尔比＝2:1:6的比例混合均匀加热至熔化得高温熔液并保持24-96小时后，以1-10℃/小时的降温速率降温至室温，得到Ba₂Ca(C₃N₃O₃)₂双折射晶体。

4.根据权利要求3所述用于紫外可见波段的氰尿酸钡钙双折射晶体的制备方法，其特征在于，所述含钡化合物为BaCl₂或BaBr₂或BaI₂；

所述含钙化合物为CaCl₂或CaBr₂或CaI₂；

所述含氰酸根化合物为LiCNO或NaCNO或KCNO。

5.根据权利要求2所述用于紫外可见波段的氰尿酸钡钙双折射晶体的制备方法，其特征在于，所述坩埚下降法生长氰尿酸钡钙双折射晶体，包括如下步骤：

将粉末状Ba₂Ca(C₃N₃O₃)₂化合物放入晶体生长装置中，缓慢升温至原料熔化，待原料完全熔化后，晶体生长装置以0.1-10mm/h的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行氰尿酸钡钙双折射晶体生长，其生长周期为5-20天。

6.权利要求1所述的用于紫外可见波段的氰尿酸钡钙双折射晶体在制作偏振分束棱镜中的应用。

7.根据权利要求6所述的用于紫外可见波段的氰尿酸钡钙双折射晶体在制作偏振分束棱镜中的应用，其特征在于，所述的偏振分束棱镜为格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器。