[发明专利]有机电致发光二极管显示基板及其制作方法、显示器件在审
申请号: | 201810901981.5 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN109037486A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 全威 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 刘伟;赵艳丽 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻隔层 有机电致发光二极管 显示基板 阴极 非显示区域 像素界定层 显示器件 显示区域 高度差 基底 制备 背离 金属材料沉积 产品实现 导电结构 金属薄膜 窄边框 短路 良率 制作 断裂 外围 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开了一种有机电致发光二极管显示基板及其制作方法、显示器件。所述有机电致发光二极管显示基板包括围设在显示区域外围的环状的阻隔层,所述阻隔层靠近所述显示区域设置,且所述阻隔层的背离所述基底的表面的至少一部分高于所述像素界定层的背离所述基底的表面,以改善制备阴极的金属材料沉积到非显示区域的问题,有利于产品实现窄边框。而且阻隔层的所述至少一部分与像素界定层之间具有高度差,也会使得金属薄膜因为该高度差发生断裂,防止制备的阴极与位于非显示区域的导电结构发生短路,提升产品的良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种有机电致发光二极管显示基板及其制作方法、显示器件。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLED)显示器件具有自发光、广视角、高对比度等优点,广泛应用于手机、电视、笔记本电脑等产品智能产品中,又由于其质量轻、厚度薄、具有抗弯折性能的特点,是目前国内外众多学者的研究重点。
OLED显示器件由像素界定层限定多个像素区域,每一像素区域包括OLED,OLED的主要结构为阴极、阳极以及夹在阴极和阳极之间的有机发光层的三明治式结构。相邻像素区域的OLED的阳极绝缘设置,阳极上施加像素电压。所有像素区域的OLED的阴极一体成型,阴极为覆盖整个显示区域的板状电极,其上施加公共电压。由于铟锡氧化物(ITO)在可见光范围内的高透光率、良好的导电性以及空穴注入能力,常被用做OLED的阳极。对于有机发光层,通常使用真空蒸镀及打印等工艺成膜。OLED的阴极通常使用功函数较低的金属如铝、镁、银等材料蒸镀或者溅射而成。
受到成膜工艺精度的影响,阴极的边缘通常会延伸到非显示区域,不利于实现窄边框,还会存在与非显示区域的导电结构短路的风险。
发明内容
本发明提供一种有机电致发光二极管显示基板及其制作方法、显示器件,用以解决受到成膜工艺精度的影响,有机电致发光二极管的阴极的边缘会延伸到非显示区域,不利于实现窄边框的问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例中提供一种有机电致发光二极管显示基板,包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域,所述有机电致发光二极管显示基板包括基底和设置在所述基底的表面上的像素界定层,所述像素界定层位于显示区域,用于限定多个像素区域,所述有机电致发光二极管显示基板还包括围设在所述显示区域外围的环状的阻隔层,所述阻隔层靠近所述显示区域设置;
所述阻隔层的背离所述基底的表面的至少一部分高于所述像素界定层的背离所述基底的表面。
可选的,所述阻隔层与所述像素界定层为同层结构。
可选的,所述阻隔层与所述像素界定层为一体结构。
可选的,所述阻隔层的背离所述基底的表面为凹凸结构。
可选的,所述阻隔层的背离所述基底的表面具有至少一个环状的凸起结构,所述凸起结构环绕在所述显示区域的外围,所述凸起结构的背离所述基底的表面高于所述像素界定层的背离所述基底的表面。
可选的,所述阻隔层的背离所述基底的表面具有至少两个环状的凸起结构,从靠近所述显示区域的一侧到背离所述显示区域的一侧,所述至少两个凸起结构的背离所述基底的表面的高度呈逐渐减小的趋势。
可选的,所述阻隔层的背离所述基底的表面具有多个凸起块,所述多个凸起块间隔分布在所述显示区域的外围,所述凸起块的背离所述基底的表面高于所述像素界定层的背离所述基底的表面。
本发明实施例中还提供一种显示器件,包括如上所述的有机电致发光二极管显示基板。
本发明实施例中还提供一种如上所述的有机电致发光二极管显示基板的制作方法,包括:
在一基底的表面上形成像素界定层,所述像素界定层位于显示区域,用于限定多个像素区域;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择