[发明专利]扇出型传感器封装件有效

专利信息
申请号: 201810901433.2 申请日: 2018-08-09
公开(公告)号: CN109935603B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 郑夏龙;李在杰;禹性泽;沈智慧;金东振;赵汉相;崔云河;崔在民 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 汪喆;马金霞
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 扇出型 传感器 封装
【权利要求书】:

1.一种扇出型传感器封装件,包括:

传感器芯片,具有第一表面和与所述第一表面背对的第二表面,第一连接焊盘和光学层设置在所述第一表面上;

包封剂,包封所述传感器芯片的至少部分;

连接构件,设置在所述传感器芯片的所述第一表面和所述包封剂上,并包括电连接到所述第一连接焊盘的第一重新分布层;

通布线,贯穿所述包封剂并电连接到所述第一重新分布层;以及

电连接结构,设置在所述包封剂的与所述包封剂的设置有所述连接构件的一个表面背对的另一表面上并电连接到所述通布线,

其中,所述传感器芯片和所述连接构件彼此物理地分开预定距离,并且

所述第一连接焊盘和所述第一重新分布层通过设置在所述传感器芯片和所述连接构件之间的第一连接器彼此电连接,

其中,所述连接构件还包括:绝缘层,其上设置有所述第一重新分布层;第二重新分布层,设置在所述绝缘层的与设置有所述第一重新分布层的表面相对的表面处;以及过孔,贯穿所述绝缘层并且使所述第一重新分布层和所述第二重新分布层彼此电连接,并且,

其中,所述第一重新分布层设置在所述过孔和所述第一连接器之间。

2.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件,其中,所述第一连接器包括熔点比被包括在所述第一连接焊盘和所述第一重新分布层中的每种金属的熔点低的低熔点金属。

3.根据权利要求2所述的扇出型传感器封装件,其中,所述低熔点金属包括锡。

4.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件,其中,所述第一连接器为焊球。

5.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件,所述扇出型传感器封装件还包括光学构件,所述光学构件设置在所述连接构件的与所述连接构件的设置有所述包封剂和所述传感器芯片的第一表面背对的第二表面上。

6.根据权利要求5所述的扇出型传感器封装件,其中,所述光学构件为玻璃承载件。

7.根据权利要求5所述的扇出型传感器封装件,所述扇出型传感器封装件还包括设置在所述光学构件的第一表面上的红外阻截涂层。

8.根据权利要求7所述的扇出型传感器封装件,所述扇出型传感器封装件还包括屏障层,所述屏障层设置在所述光学构件的与所述光学构件的所述第一表面背对的第二表面上,

其中,所述屏障层设置在所述光学构件和所述连接构件之间。

9.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件,其中,所述包封剂不覆盖所述传感器芯片的所述光学层,并且

所述连接构件具有使所述光学层暴露的开口。

10.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件,所述扇出型传感器封装件还包括覆盖所述第一连接器的至少一部分的底部填充树脂。

11.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件,其中,所述传感器芯片包括逻辑裸片和设置在所述逻辑裸片上的传感器裸片,

所述传感器芯片的第一侧为所述传感器裸片侧,并且

所述传感器芯片的第二侧为所述逻辑裸片侧。

12.根据权利要求11所述的扇出型传感器封装件,其中,所述传感器裸片为互补金属氧化物半导体图像传感器型传感器裸片。

13.根据权利要求11所述的扇出型传感器封装件,其中,所述逻辑裸片和所述传感器裸片通过硅通孔彼此电连接。

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