[发明专利]扇出型传感器封装件有效
| 申请号: | 201810901433.2 | 申请日: | 2018-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN109935603B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
| 发明(设计)人: | 郑夏龙;李在杰;禹性泽;沈智慧;金东振;赵汉相;崔云河;崔在民 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 汪喆;马金霞 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 扇出型 传感器 封装 | ||
1.一种扇出型传感器封装件,包括:
传感器芯片,具有第一表面和与所述第一表面背对的第二表面,第一连接焊盘和光学层设置在所述第一表面上;
包封剂,包封所述传感器芯片的至少部分;
连接构件,设置在所述传感器芯片的所述第一表面和所述包封剂上,并包括电连接到所述第一连接焊盘的第一重新分布层;
通布线,贯穿所述包封剂并电连接到所述第一重新分布层;以及
电连接结构,设置在所述包封剂的与所述包封剂的设置有所述连接构件的一个表面背对的另一表面上并电连接到所述通布线,
其中,所述传感器芯片和所述连接构件彼此物理地分开预定距离,并且
所述第一连接焊盘和所述第一重新分布层通过设置在所述传感器芯片和所述连接构件之间的第一连接器彼此电连接,
其中,所述连接构件还包括:绝缘层,其上设置有所述第一重新分布层;第二重新分布层,设置在所述绝缘层的与设置有所述第一重新分布层的表面相对的表面处;以及过孔,贯穿所述绝缘层并且使所述第一重新分布层和所述第二重新分布层彼此电连接,并且,
其中,所述第一重新分布层设置在所述过孔和所述第一连接器之间。
2.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件,其中,所述第一连接器包括熔点比被包括在所述第一连接焊盘和所述第一重新分布层中的每种金属的熔点低的低熔点金属。
3.根据权利要求2所述的扇出型传感器封装件,其中,所述低熔点金属包括锡。
4.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件,其中,所述第一连接器为焊球。
5.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件,所述扇出型传感器封装件还包括光学构件,所述光学构件设置在所述连接构件的与所述连接构件的设置有所述包封剂和所述传感器芯片的第一表面背对的第二表面上。
6.根据权利要求5所述的扇出型传感器封装件,其中,所述光学构件为玻璃承载件。
7.根据权利要求5所述的扇出型传感器封装件,所述扇出型传感器封装件还包括设置在所述光学构件的第一表面上的红外阻截涂层。
8.根据权利要求7所述的扇出型传感器封装件,所述扇出型传感器封装件还包括屏障层,所述屏障层设置在所述光学构件的与所述光学构件的所述第一表面背对的第二表面上,
其中,所述屏障层设置在所述光学构件和所述连接构件之间。
9.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件,其中,所述包封剂不覆盖所述传感器芯片的所述光学层,并且
所述连接构件具有使所述光学层暴露的开口。
10.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件,所述扇出型传感器封装件还包括覆盖所述第一连接器的至少一部分的底部填充树脂。
11.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件,其中,所述传感器芯片包括逻辑裸片和设置在所述逻辑裸片上的传感器裸片,
所述传感器芯片的第一侧为所述传感器裸片侧,并且
所述传感器芯片的第二侧为所述逻辑裸片侧。
12.根据权利要求11所述的扇出型传感器封装件,其中,所述传感器裸片为互补金属氧化物半导体图像传感器型传感器裸片。
13.根据权利要求11所述的扇出型传感器封装件,其中,所述逻辑裸片和所述传感器裸片通过硅通孔彼此电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电机株式会社,未经三星电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810901433.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





