[发明专利]峰值电压保护电路

权利要求书

1.峰值电压保护电路，包括电源保护电路，其特征在于：还包括二极管D6、MOS管Q1、电容C1、分压取样电路和控制单元，所述二极管D6的负极接MOS管Q1的D极后与电源保护电路连接，二极管D6的正极与MOS管Q1的S极连接且定义该连接点为母线电压输入端，电容C1一端接地，另一端接母线电压输入端，所述负载RT一端接地，另一端接母线电压输入端，所述分压取样电路用于采集母线电压输入端的电压并进行降压滤波形成采集电压，所述控制单元用于接收上述的采集电压并控制上述MOS管Q1导通或截止。

2.根据权利要求1所述的峰值电压保护电路，其特征在于，所述的电源保护电路包括保险丝FUSE、瞬态抑制电阻RV1和无极性保护电路BR1，所述无极性保护电路BR1包括四个二极管，分别为第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管，第一二极管的负极为第一AC端且与第二二极管的正极连接，第二二极管的负极为V+输出端且与第三二极管的负极连接，第三二极管的正极为第二AC端且与第四二极管的负极连接，第四二极管的正极接地且与第一二极管的正极连接，保险丝FUSE的一端接电源输入端DC，另一端接第一AC端，所述瞬态抑制电阻RV1两端分别接第一AC端和第二AC端，所述第二AC端接电源输入端GND，所述V+输出端接上述二极管D6的负极。

3.根据权利要求2所述的峰值电压保护电路，其特征在于，所述的分压取样电路包括包括电阻R1、电阻R2、电阻R6和电容C2，定义电阻R6的一端为电压采集端，电阻R6的另一端接地，电阻R1一端接上述母线电压输入端，另一端接电阻R2一端，电阻R2另一端接上述电压采集端，所述电容C2的两端分别接地和上述电压采集端，所述的电阻R1、电阻R2和电阻R6的电阻值比为51:51:1。

4.根据权利要求3所述的峰值电压保护电路，其特征在于，所述的电阻R1、电阻R2和电阻R6的具体电阻值分别是510K、510K和10K。

5.根据权利要求3或4所述的峰值电压保护电路，其特征在于，所述的控制单元包括电阻R12、图腾柱MOS管驱动电路、限流电阻R3和MCU，所述MCU上的ADC转换引脚输入端MCU_ADC接上述的电压采集端，MCU上的引脚MCU_PWM接限流电阻R3一端，所述图腾柱MOS管驱动电路包括三极管Q2和三极管Q3，所述三极管Q2的集电极接+15V，三极管Q2的基极与三极管Q3的基极连接并接上述限流电阻R3的另一端，三极管Q2的发射极与三极管Q3的发射极连接并接上述电阻R12的一端，电阻R12的另一端接上述MOS管Q1的G极，所述三极管Q3的集电极接地。