[发明专利]一种LaFeSi基磁制冷材料的居里温度调控方法及制备方法

权利要求书

1.一种LaFeSi基磁制冷材料的居里温度调控方法，其特征在于：

针对名义成分为La_1-xR_x(Fe_13-a-b-c-dMn_aCr_bCo_c)Si_d，其中R为稀土元素，a、b、c、d、x为相对应元素化学计量比，

其中，0≤x≤0.5，0≤a≤0.5，0≤b≤0.3，0≤c≤2，1≤d≤2；

可得元素化学计量比表达的居里温度关系式为T_c =k₀-k₁·a-k₂·b+k₃·c+k₄·d-k₅·x，

其中，200≤k₀≤240，120≤k₁≤180，40≤k₂≤80，80≤k₃≤120，40≤k₄≤80，50≤k₅≤90。

2.根据权利要求1所述的一种LaFeSi基磁制冷材料的居里温度调控方法，其特征在于：

当针对a、b、c、d、x进行参数调整时，若其变化量△a、△b、△c、△d、△x与其系数之间满足-k₁·△a-k₂·△b+k₃·△c+k₄·△d-k₅·△x=0，则相应的居里温度T_c保持不变。

3.根据权利要求1所述的一种LaFeSi基磁制冷材料的居里温度调控方法，其特征在于：

所述由元素化学计量比表达的居里温度关系式经相应转化获得由质量分数表达的居里温度关系式。

4.根据权利要求1所述的一种LaFeSi基磁制冷材料的居里温度调控方法，其特征在于：

所述相对应元素化学计量比a、b、c、d、x的范围为0.1≤x≤0.3，0.1≤a≤0.3，0.01≤b≤0.1，0.01≤c≤0.5，1.3≤d≤1.6。

5.根据权利要求1所述的一种LaFeSi基磁制冷材料的居里温度调控方法，其特征在于：

所述参数k₀、k₁、k₂、k₃、k₄、k₅的范围为220≤k₀≤230，140≤k₁≤150，50≤k₂≤60，100≤k₃≤110，50≤k₄≤70，60≤k₅≤80。

6.一种根据权利要求1或2或3或4或5所述的LaFeSi基磁制冷材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

a）按上述居里温度关系式计算所获得La_1-xR_x(Fe_13-a-b-c-dMn_aCr_bCo_c)Si_d的具体成分，并按其元素化学计量比进行配料；

b）将步骤a）中配好的原料加入到真空感应速凝炉中进行高温熔炼，熔炼后浇铸到铜辊上，获得速凝薄带；

c）将速凝薄带放入真空管式炉中进行热处理，然后风冷处理；

d）将步骤c）处理后的薄带进行饱和充氢处理制得所需居里温度的LaFeSi基磁制冷材料。

7.根据权利要求6所述的一种LaFeSi基磁制冷材料的制备方法，其特征在于：

所述步骤a）中，配料时所添加的稀土的烧损率为不大于20wt%，配料总重量为不大于600kg。