[发明专利]磁性化合物及其制造方法

说明书

本发明涉及磁性化合物及其制造方法。一种磁性化合物及其制造方法，该磁性化合物具有式(Sm_(1‑x‑y)R_yZr_x)_a(Fe_(1‑z)Co_z)_bT_cM_d(上述式中，R为Sm以外的一种以上稀土元素，T为选自由Ti、V、Mo和W组成的组中的一种以上元素，M为不可避免的杂质元素及选自由Al、Si、Ni、C、O、N、Cr、Cu、Ga、Ag和Au组成的组中的一种以上元素，且0x≤0.3、0≤y≤0.1、0≤z≤0.3、7.7≤a≤9.1、b＝100‑a‑c‑d、3.8c≤7.7、0≤d≤1.0)所表示的组成且具有ThMn₁₂型晶体结构，上述式中，满足a≥1.0x+7.7和c≥‑2.5x+4.7的关系。

技术领域

本公开内容涉及磁性化合物及其制造方法。本公开内容特别涉及α-Fe相的含量少的磁性化合物及其制造方法。

背景技术

永磁体的应用遍及电子学、信息通信、医疗、机床领域、产业用/汽车用电机等广泛的领域。另外，由于对二氧化碳排放量的抑制的要求提高、混合动力汽车的普及、产业领域中的节能、发电效率的提高等，近年来对于具有更高特性的永磁体开发的期待升高。

现在，作为高性能磁体(磁石)席卷市场的Nd-Fe-B系磁体也一直被用于HV/EHV用的驱动电机用磁体。而且，近来，为了应对追求电机的进一步小型化、高输出化(磁体的剩余磁化的增加)，正在进行新的永磁体材料的开发。

作为具有超过Nd-Fe-B系磁体的性能的材料开发之一，正在进行具有ThMn₁₂型晶体结构的稀土-铁系磁性化合物的研究。

例如，在专利文献1中公开了一种磁性化合物，其为式(R¹_(1-x)R²_x)_a(Fe_(1-y)Co_y)_bT_cM_d(R¹为选自由Sm、Pm、Er、Tm和Yb组成的组中的一种以上的元素，R²为选自由Zr、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho和Lu组成的组中的一种以上的元素，T为选自由Ti、V、Mo、Si和W组成的组中的一种以上的元素，M为不可避免的杂质元素以及选自由Al、Cr、Cu、Ga、Ag和Au组成的组中的一种以上的元素，0≤x≤0.7、0≤y≤0.7、4≤a≤20、b＝100-a-c-d、0c7.7、0≤d≤3)所表示的磁性化合物，具有ThMn₁₂型晶体结构，α(Fe、Co)相的体积分数小于12.3％。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-57471号公报

发明内容

发明所要解决的课题

对于永磁体，要求剩余磁化和矫顽力这两者都高。为了在不降低剩余磁化的情况下提高矫顽力，减少磁体中的软磁性相的含量是重要的。

在使用具有ThMn₁₂型晶体结构的稀土-铁系磁性化合物作为永磁体的原材料的情况下，尽可能地减少该磁性化合物中的α-Fe相(软磁性相)是重要的。

在专利文献1公开的磁性化合物中，期望进一步降低α-Fe相的含量。由此，本发明人发现了在具有ThMn₁₂型晶体结构的稀土-铁系磁性化合物中期望进一步降低α-Fe相的含量的课题。

本公开内容是为了解决上述课题而进行的，其目的在于提供α-Fe相的含量少、具有ThMn₁₂型晶体结构的稀土-铁系磁性化合物及其制造方法。