[发明专利]靶材清洁组件及靶材清洁方法、成膜设备有效
申请号: | 201810896123.6 | 申请日: | 2018-08-08 |
公开(公告)号: | CN109023289B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 谢锐 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁 组件 方法 设备 | ||
本申请公开一种靶材清洁组件及靶材清洁方法、成膜设备。所述靶材清洁组件的气体导向机构用于提供朝向靶材的气流,所述气流的流通方向指向靶材的缝隙且所述气流的吹扫区域覆盖靶材,并通过所述气流的流通将落于靶材缝隙中的颗粒去除。基于此,本申请能够有利于改善对靶材缝隙中颗粒的清洁效果,从而确保成膜品质。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及成膜领域,尤其涉及一种靶材清洁组件及靶材清洁方法、成膜设备。
背景技术
在OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示器、LCD(Liquid CrystalDisplay,液晶显示器)等显示装置的制程中,成膜工艺是不可或缺的一道关键工艺,其主要用于形成所述显示装置的各层膜结构。以ITO成膜工艺为例,并结合图1~图3所示,随着ITO靶材11的使用时长的增加,大量的ITO颗粒(Particle)111会聚集在所述ITO靶材11的缝隙112中,在后续如图3所示的成膜过程中,这些ITO颗粒111仍会以颗粒形式沉积在待成膜基板13上,从而影响成膜品质。
如图2所示,当前清洁ITO颗粒111的方式是在成膜腔室(Chamber)20接入管道12,管道12的气流出口向ITO靶材11吹扫气体,并通过气流将落于所述缝隙112中的ITO颗粒111去除。
但是,该出气方式为单点式设计,气流的吹扫区域并不能覆盖整个ITO靶材11,ITO靶材11上大部分区域的缝隙112无法被气流吹扫,仍会有较多的ITO颗粒111聚集在缝隙112中,清洁效果并不理想。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种靶材清洁组件及靶材清洁方法、成膜设备,能够有利于改善对靶材缝隙中颗粒的清洁效果。
本申请一实施例的靶材清洁组件,包括气体导向机构,所述气体导向机构用于提供朝向靶材的气流,所述气流的流通方向指向所述靶材的缝隙且所述气流的吹扫区域覆盖所述靶材,并通过所述气流的流通将落于所述靶材缝隙中的颗粒去除。
本申请一实施例的成膜设备,包括上述靶材清洁组件。
本申请一实施例的靶材清洁方法,包括:
提供靶材清洁组件,其包括用于提供气流的气体导向机构;
所述气体导向机构提供朝向靶材的气流,且所述气流的流通方向指向所述靶材的缝隙且所述气流的吹扫区域覆盖所述靶材,并通过所述气流的流通将落于所述靶材缝隙中的颗粒去除。
有益效果:本申请设计气流的流通方向指向靶材的缝隙且所述气流的吹扫区域覆盖整个靶材,相当于将传统的单点式出气改变为本申请的整面式出气,从而能够有利于改善对靶材缝隙中颗粒的清洁效果,确保后续成膜品质。
附图说明
图1是现有ITO靶材一实施例的结构俯视示意图;
图2是ITO颗粒聚集在图1所示ITO靶材的缝隙的示意图;
图3是现有技术对ITO靶材进行清洁的场景示意图;
图4是采用本申请一实施例的靶材清洁组件对靶材进行清洁的场景俯视示意图;
图5是采用图4所示的靶材清洁组件对靶材进行清洁的场景侧视示意图;
图6是本申请对靶材的一个缝隙进行清洁的场景示意图;
图7是本申请一实施例的靶材清洁方法的流程示意图。
具体实施方式
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