[发明专利]铝合金表面DLC防护薄膜制备方法

权利要求书

1.一种铝合金表面DLC防护薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)对基体进行前期预处理；

(2)氩气，氢气进行辉光清洗；

(3)用TMS和C₂H₂作为气体源在铝合金表面沉积SiC和Si-DLC混合过渡层；

(4)在所述过渡层上直接沉积含H的DLC层；所述步骤(1)中的基体为铝合金，所述前期预处理为分别用丙酮、酒精超声处理10min，用吹风机吹干待用；

所述步骤(2)中的氩气为高纯氩气，氢气为高纯氢气，Ar气的流量为100sccm，H₂的流量为100sccm，分压为6.5E-1Pa，使用电子枪作为离化源，所述电子枪为空心阴极电子枪，所述电子枪配有上下聚焦线圈，起到聚焦电子束的作用，所述氩气接到空心阴极上，氢气直接通入真空室内，空心阴极电子枪的工作电流为80A，所述聚焦线圈的工作电流为8-20A，所述基体上加300V的负偏压，占空比80％；

所述步骤(3)中的TMS为高纯四甲基硅烷，TMS流量为100sccm，乙炔流量为50sccm，所述TMS和乙炔直接通入真空室内，通过空心阴极电子枪离化；空心阴极电子枪的工作电流为80A，所述基体上加150V负偏压，占空比80％；

所述步骤(4)中的含H的DLC层由高纯乙炔气体作为碳源，并通入H₂，控制氢气流量为50sccm、100sccm、150sccm或200sccm，乙炔流量为100-300sccm，乙炔和氢气直接通入真空室内，空心阴极电子枪工作电流为80-140A，基体沉积温度为50-150℃，基体负偏压为50-150V，占空比30％-80％；

所述铝合金基体为7075铝合金；

所述步骤(2)中的清洗时间为10min。

2.一种表面具有DLC防护薄膜的铝合金材料，其特征在于：该材料由权利要求1所述的制备方法获得。

3.一种铝合金表面DLC防护薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)对基体进行前期预处理；

(2)氩气，氢气进行辉光清洗；

(3)用TMS作为气体源在铝合金表面沉积SiC过渡层；

(4)用TMS和乙炔作为气体源在铝合金表面沉积Si-DLC过渡层；

(5)在所述过渡层上直接沉积含H的DLC层；

所述步骤(1)中的基体为7075铝合金，所述前期预处理为分别用丙酮、酒精超声处理10min，用吹风机吹干待用；

所述步骤(2)中的氩气为高纯氩气，氢气为高纯氢气，Ar气的流量为100sccm，H₂的流量为100sccm，分压为6.5E-1Pa，使用电子枪作为离化源；电子枪为空心阴极电子枪，电子枪配有上下聚焦线圈，起到聚焦电子束的作用；氩气接到空心阴极上，氢气直接通入真空室内，空心阴极电子枪的工作电流为80A，聚焦线圈的工作电流为8-20A，基体上加300V的负偏压，占空比80％；

所述步骤(3)中的TMS为高纯四甲基硅烷，TMS流量为100sccm，所述TMS直接通入真空室内，通过空心阴极电子枪离化，所述空心阴极电子枪的工作电流为80A，所述基体上加150V负偏压，占空比80％；

所述步骤(4)保持TMS流量不变，通入乙炔，乙炔流量为50sccm，其他参数不变；

所述(5)中的含H的DLC层由高纯乙炔气体作为碳源，并通入H₂，控制氢气流量为50sccm、100sccm、150sccm或200sccm，乙炔流量为100-300sccm，乙炔和氢气直接通入真空室内,所述空心阴极电子枪工作电流为80-140A，所述基体沉积温度为50-150℃，所述基体负偏压为50-150V，占空比30％-80％；

所述铝合金基体为7075铝合金；

所述步骤(2)中的清洗时间为10min。

4.一种表面具有DLC防护薄膜的铝合金材料，其特征在于：该材料由权利要求3所述的制备方法获得。