[发明专利]用于双光子荧光增强的双波长金属Fano共振结构在审
| 申请号： | 201810890770.6 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN108956574A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 吕昌贵;祁正青;朱成军;钟嫄;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N21/01 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共振结构 双光子荧光 光学透明介质 金属薄膜层 结构参数 纳米金属 圆盘阵列 薄膜层 双波长 纳米压印工艺 制备方法工艺 金属 发射效率 激发效率 目标波长 薄膜蒸 传统的 多维度 可调的 光场 匹配 应用 | ||
1.一种用于双光子荧光增强的双波长金属Fano共振结构，其特征在于：该结构从下而上依次包括绝缘衬底(1)、金属薄膜(2)、光学透明介质薄膜(3)和纳米金属圆盘阵列(4)，该纳米金属圆盘阵列(4)按设计要求排列。
2.一种如权利要求1所述的用于双光子荧光增强的双波长金属Fano共振结构的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
S1.在绝缘衬底(1)上蒸镀金属薄膜(2)；
S2.在金属薄膜(2)上蒸镀光学透明介质膜(3)；
S3.在光学透明介质膜(3)上通过旋涂的方法涂覆一层有机薄膜；
S4.使用制备好的模板在有机薄膜上进行压印，模刻出柱对称圆盘阵列孔结构；
S5.在柱对称圆盘阵列孔结构上蒸镀金属；
S6.蒸镀完成后采用有机溶液清洗去除有机薄膜，保留下柱对称纳米金属圆盘阵列(4)。
3.根据权利要求2所述的用于双光子荧光增强的双波长金属Fano共振结构的制备方法，其特征在于，所述绝缘衬底(1)为玻璃衬底或石英衬底。
4.根据权利要求2所述的用于双光子荧光增强的双波长金属Fano共振结构的制备方法，其特征在于，所述金属膜(2)为金膜或银膜。
5.根据权利要求4所述的用于双光子荧光增强的双波长金属Fano共振结构的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜(2)的厚度大于100纳米。
6.根据权利要求2所述的用于双光子荧光增强的双波长金属Fano共振结构的制备方法，其特征在于，所述光学透明介质膜(3)为SiO2膜或MgF2膜。
7.根据权利要求2所述的用于双光子荧光增强的双波长金属Fano共振结构的制备方法，其特征在于，所述柱对称金属圆盘阵列(4)中圆盘的直径为纳米量级。
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