[发明专利]垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法，其特征在于：所述垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法包括如下步骤：

准备表面清洁的玻璃基片；

利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法，在所述玻璃基片表面镀敷MnO层，其中，所述MnO层的厚度为10-15nm；

利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法，在所述MnO层上镀敷第一MnGa层，其中，所述第一MnGa层的厚度为15-25nm；

利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法，在所述第一MnGa层上镀敷第一Pt层，其中，所述第一Pt层的厚度为10-15nm；

利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法，在所述第一Pt层上镀敷第一FePt层，其中，所述第一FePt层的厚度为20-30nm；

利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在所述第一FePt层上镀敷第二MnGa层，其中，所述第二MnGa层的厚度为25-45nm；

利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在所述第二MnGa层上镀敷FeCo层，其中，所述FeCo层厚度为10-20nm；

利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在所述FeCo层上镀敷第二FePt层，其中，所述第二FePt层厚度为15-25nm；以及

利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在所述第二FePt层上镀敷Cr层，其中，所述Cr层厚度为10-20nm。

2.如权利要求1所述的垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法，其特征在于：其中，利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法在所述玻璃基片表面镀敷MnO层的具体工艺为：溅射靶材为MnO靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量40-60sccm，溅射频率为50-100Hz，溅射电压为200-400V，溅射功率为200-400W，溅射占空比为30-50％，基片温度为300-400℃。

3.如权利要求1所述的垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法，其特征在于：其中，利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法在所述MnO层上镀敷第一MnGa层的具体工艺为：溅射靶材为MnGa靶材，其中，所述MnGa靶材的Mn和Ga的原子百分比为60:40，溅射气氛为氩气，氩气流量40-60sccm，溅射频率为150-200Hz，溅射电压为300-500V，溅射功率为400-500W，溅射占空比为30-50％，基片温度为400-500℃。

4.如权利要求1所述的垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法，其特征在于：其中，利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法在所述第一MnGa层上镀敷第一Pt层的具体工艺为：溅射靶材为Pt靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量40-60sccm，溅射频率为100-150Hz，溅射电压为100-200V，溅射功率为100-200W，溅射占空比为70-80％，基片温度为200-300℃。

5.如权利要求1所述的垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法，其特征在于：其中，利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法在所述第一Pt层上镀敷第一FePt层的具体工艺为：溅射靶材为FePt靶材，其中，所述FePt靶材的Fe和Pt的原子百分比为65:35，溅射气氛为氩气，氩气流量40-60sccm，溅射频率为300-500Hz，溅射电压为400-500V，溅射功率为150-250W，溅射占空比为20-40％，基片温度为300-400℃。

6.如权利要求1所述的垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法，其特征在于：利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在所述第一FePt层上镀敷第二MnGa层的具体工艺为：溅射靶材为MnGa靶材，其中，所述MnGa靶材的Mn和Ga的原子百分比为50:50，溅射气氛为氩气，氩气流量40-60sccm，溅射频率为200-250Hz，溅射电压为150-200V，溅射功率为200-300W，溅射占空比为50-60％，基片温度为400-500℃。