[发明专利]一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法

说明书

本发明公开了一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，包括以下步骤：S1、扩散：对SE电池进行两步扩散；其中，第一步：扩散温度设置为730℃‑780℃，氧流量设置为800‑1200ml/min，扩散时间设置为600s；第二步：扩散温度设置为680℃‑730℃，氧流量设置为800‑1200ml/min，扩散时间设置为300s；S2、链式去PSG：对经由S1后的SE电池进行背面磷硅玻璃的去除；S3、碱刻蚀：对经由S2后的SE电池依次进行碱刻蚀、第一道酸洗以及第二道酸洗。本发明的碱刻蚀可以有限减少HF/HNO3的使用量，减少环境治理成本，同时降低化学品制造成本，碱刻蚀背面反射率率相比酸刻蚀更高，可以有效提升SE晶硅电池转换效率，电池转换效率可以进一步明显提升，实用性很强，非常值得推广。

技术领域

本发明涉及SE电池刻蚀技术领域，具体为一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法。

背景技术

目前常规单、多晶SE电池片生产过程为：制绒-扩散-SE-酸刻蚀-退火-SiNx镀膜-丝网印刷-烧结-分选-检测，扩散采用两片硅片背靠背方式进行,对硅片正面(扩散面)进行掺杂，形成P-N结，背面和侧边也不可避免地扩散上磷，正面收集的光生电子会沿着边缘有磷的区域流到背面，造成短路，湿法酸刻蚀使用HF/HNO3溶液去除侧边和背面的磷硅玻璃，避免发生短路，但使用酸液刻蚀背面反射率相比使用碱刻蚀较差，从而导致电池片转换效率比不上使用碱刻蚀，同时碱刻蚀可以有限减少HF/HNO3的使用量，减少环境治理成本。

本发明旨在提升背面反射率，增加SE电池片转换效率；降低化学品成本；同时减少环境治理成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，包括以下步骤：

S1、扩散：对SE电池进行两步扩散；

其中，第一步：扩散温度设置为730℃-780℃，氧流量设置为800-1200ml/min，扩散时间设置为600s；

第二步：扩散温度设置为680℃-730℃，氧流量设置为800-1200ml/min，扩散时间设置为300s；

S2、链式去PSG：对经由S1后的SE电池进行背面磷硅玻璃的去除；

其中，背面磷硅玻璃槽中的配液配比为HF：DI水＝1:9，带速为1.2-2.5m/min；

S3、碱刻蚀：对经由S2后的SE电池依次进行碱刻蚀、第一道酸洗以及第二道酸洗；

其中，碱刻蚀槽中的配液配比为KOH：添加剂：DI水＝1:2.5:80，刻蚀温度设置为70℃-75℃，时间为170s-230s；

第一道酸洗槽中的配液配比为HCL：H2O2:DI水＝1:0.67:16，酸洗温度设置为50℃-60℃，时间为130s-180s；

第二道酸洗槽中的配液配比为HF:DI水＝1:37，酸洗温度设置为20℃-30℃，时间为80s-120s。

优选的，S3中碱刻蚀槽中的KOH可以采用NaOH替换。

优选的，S3中碱刻蚀槽中的添加剂为异丙醇、硅酸钠、少量表面活性剂以及水的混合溶液。

优选的，对经S3后的SE硅片进行水洗以及烘干后下料。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：