[发明专利]一种电子束二次电子采集装置及电子束设备有效

专利信息
申请号: 201810886712.6 申请日: 2018-08-06
公开(公告)号: CN108971737B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 白凤民 申请(专利权)人: 河北众航高能科技有限公司
主分类号: B23K15/00 分类号: B23K15/00
代理公司: 北京知呱呱知识产权代理有限公司 11577 代理人: 武媛;吕学文
地址: 065300 河北省廊坊*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子束 二次电子 采集 装置 设备
【权利要求书】:

1.一种电子束二次电子采集装置,其特征在于,所述电子束二次电子采集装置包括采集板、采样电路、信号调理电路和成像系统,所述采样电路的输入端与所述采集板电连接,所述采样电路的输出端与信号调理电路的输入端电连接,所述信号调理电路的输出端与成像系统电连接;

所述采样电路包括采样电阻,所述采样电阻的两端分别与所述采集板和地电连接,所述信号调理电路的两个输入端分别电连接所述采样电阻的两端,所述信号调理电路用于对采样信号进行滤波和放大处理;

所述信号调理电路包括信号放大单元、第一电源供给及滤波单元、第二电源供给及滤波单元和信号输出单元,其中,所述信号放大单元用于对所述采样电路获得的信号进行放大以获得放大信号,所述第一电源供给及滤波单元用于对所述放大信号进行滤波;所述第二电源供给及滤波单元用于对所述放大信号再次滤波,所述信号输出单元用于将滤波后的信号输出至成像系统;

信号放大单元包括第一放大器U1、第二放大器U2、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一可调电阻RW1、第二可调电阻RW2,其中,第二电阻R2的第一端电连接第一接线端子P1,第二电阻R2的第二端电连接第一放大器U1的反相输入端;第一放大器U1的同相输入端接地;第一可调电阻RW1的第一端电连接第一放大器U1的反相输入端,第一可调电阻RW1的第二端电连接第一放大器U1的输出端;第三电阻R3的第一端电连接第一放大器U1的输出端,第三电阻R3的第二端电连接第二放大器U2的同相输入端;第二可调电阻RW2的第一端接地,第二可调电阻RW2的第二端电连接第二放大器U2的反相输入端;第四电阻R4的第一端电连接第二放大器U2的反相输入端,第四电阻R4的第二端电连接第二放大器U2的输出端;

所述第一电源供给及滤波单元包括第一直流电源、第一电容C1、第二电容C2、第四电容C4、第五电容C5、第九电阻R9、第十电阻R10、第一发光二极管D1和第二发光二极管D2;其中,第一电容C1的正极电连接直流电源的正极,第一电容C1的负极接地;第二电容C2的正极接地,第二电容C2的负极电连接第一直流电源P1的负极;第四电容C4的第一端电连接第一直流电源P1的正极,第四电容C4的第二端接地;第五电容C5的第一端接地,第五电容C5的第二端电连接第一直流电源P1的负极;第一发光二极管D1的正极电连接第一直流电源P1的正极,第一发光二极管D1的负极电连接第九电阻R9的第一端;第九电阻R9的第二端接地;第二发光二极管D2的负极电连接第一直流电源P1的负极,第二发光二极管D2的正极电连接第十电阻R10的第一端,第十电阻R10的第二端接地;

所述第二电源供给及滤波单元包括第三直流电源P3、第三电容C3、第六电容C6、第三发光二极管D3和第十一电阻R11,其中,第三电容C3的正极电连接第三直流电源P3的正极,第三电容C3的负极接地;第六电容C6的第一端电连接第三直流电源P3的正极,第六电容C6的第二端接地;第三发光二极管D3的正极电连接第三直流电源P3的正极,第三发光二极管D3的负极电连接第十一电阻R11的第一端,第十一电阻R11的第二端接地;

所述信号输出单元包括第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8和第三放大器U3,其中,第五电阻R5的第一端电连接信号放大单元的输出端,第五电阻R5的第二端电连接第三放大器U3的反相输入端,第六电阻R6的第一端电连接第二电源供给及滤波单元,第六电阻R6的第二端电连接第三放大器U3的正相输入端;第七电阻R7的第一端电连接第三放大器U3的反相输入端,第七电阻R7的第二端接地;第八电阻R8的第一端电连接第三放大器U3的输出端,第八电阻R8的第一端接地。

2.根据权利要求1所述的电子束二次电子采集装置,其特征在于,所述采样电阻的阻值为1-3欧姆,所述信号调理电路用于将采样信号处理成0V~1V的信号。

3.根据权利要求2所述的电子束二次电子采集装置,其特征在于,所述采样电路还包括放电管,所述放电管的两端分别电连接所述采集板和地。

4.一种电子束设备,包括电子枪和电子束二次电子采集装置,所述电子枪用于向被焊接工件发射熔融所述被焊接工件的电子束,所述电子束二次电子采集装置用于采集二次电子,所述二次电子是所述电子束照射所述被焊接工件时产生的核外电子,其特征在于,电子束二次电子采集装置采用权利要求1-3任意一项所述的电子束二次电子采集装置。

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