[发明专利]显示面板、显示装置和显示面板的制造方法有效
申请号: | 201810885402.2 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN109148478B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 许明洁;金露;赵应春 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201100 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制造 方法 | ||
本发明公开了一种显示面板、显示装置和显示面板的制造方法,属于显示技术领域,包括:显示区和非显示区;非显示区包括绑定区;相对设置的第一基板和第二基板;薄膜晶体管阵列,薄膜晶体管的栅极处于第一金属层,薄膜晶体管的源极和漏极处于第二金属层;框胶,框胶夹持设置在第一基板和第二基板之间,且框胶位于非显示区;金属保护膜,金属保护膜处于第一金属层,或金属保护膜处于第二金属层,且金属保护膜与绑定区位于显示区的不同侧;沿垂直于显示面板的方向,所述金属保护膜覆盖第一基板的至少部分切割边缘。通过利用金属保护膜反射光能,提高光能的反射率,简化制造工艺,具有较强的可实施性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示面板、显示装置和显示面板的制造方法。
背景技术
现有技术提供的一种显示面板中,采用激光切割显示面板。但是由于生产工艺等诸多因素,导致显示面板的生产良品率较低,提高了显示面板的制作成本。
因此,如何提高显示面板的生产良率是本领域亟需解决的技术问题之一。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示面板,包括:显示区和非显示区;非显示区包括绑定区,绑定区包括多个导电焊盘,绑定区位于显示区的一侧;相对设置的第一基板和第二基板;薄膜晶体管阵列,薄膜晶体管阵列位于第一基板靠近第二基板的一侧,且薄膜晶体管阵列位于显示区,薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管,薄膜晶体管的栅极处于第一金属层,薄膜晶体管的源极和漏极处于第二金属层;框胶,框胶夹持设置在第一基板和第二基板之间,且框胶位于非显示区;金属保护膜,金属保护膜处于第一金属层,或金属保护膜处于第二金属层,且金属保护膜与绑定区位于显示区的不同侧;沿垂直于显示面板的方向,所述金属保护膜覆盖第一基板的至少部分切割边缘。
本发明还提供一种显示显示装置,包括本发明提供的显示面板。
本发明还提供一种显示面板的制造方法,包括:提供第一基板,第一基板包括显示区和非显示区;在第一基板上形成薄膜晶体管阵列和金属保护膜,薄膜晶体管阵列位于显示区,薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管非显示区包括绑定区,绑定区包括多个导电焊盘,绑定区位于显示区的一侧,且金属保护膜与绑定区位于显示区的不同侧;提供第二基板;在第一基板和第二基板之间涂布框胶,框胶位于非显示区;贴合第一基板和第二基板;第一基板上设有切割线,且金属保护膜覆盖第一基板的至少部分切割线,使用激光从第一基板远离第二基板的一侧照射切割线,以切割第一基板;其中,“在第一基板上形成薄膜晶体管阵列和金属保护膜”包括:形成第一金属层;图案化第一金属层,形成栅极与金属保护膜;或者,“在第一基板上形成薄膜晶体管阵列和金属保护膜”包括:形成第二金属层;图案化第二金属层,形成薄膜晶体管的源极、漏极与金属保护膜。
与现有技术相比,本发明提供的显示面板、显示装置和显示面板的制造方法,至少实现了如下的有益效果:
本发明提供的显示面板中,利用金属保护膜反射光能,提高光能的反射率,从而使得当切割显示面板所需要的光的能量固定时,能够降低发光仪器发出的原始光能;此外,本实施例中的金属保护膜与薄膜晶体管阵列中的栅极、或者与薄膜晶体管阵列中的源漏极同层设置,能够简化制造工艺,具有较强的可实施性。
当然,实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是现有技术提供的一种显示面板的剖面结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种剖面结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的