[发明专利]先进的光提取结构

说明书

本发明的技术涉及有机发光二极管(OLED)，更特别地，其涉及OLED显示器的光提取以及可用于光提取结构的纳米复合物制剂。OLED依次包括：封装层或基体层；透镜的阵列；以及至少部分地被所述透镜的阵列覆盖的发光像素的阵列，其中至少一个透镜覆盖至少一个像素，并且所述透镜包括与封装层或基体层相比具有更高的折射率的材料。

本申请是申请号为201480049299.8、申请日为2014年07月08日、发明名称为“先进的光提取结构”的中国专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求享有于2013年7月8日提交的美国申请No.61/834,707的优先权并且是该申请的部分接续申请(即依据美国联邦法规第37卷第1.53节(c)(3)指定的美国申请No.14/120,419)，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明的技术涉及有机发光二极管(OLED)，更特别地，其涉及OLED显示器的光提取以及可用于光提取结构的纳米复合物制剂。

背景技术

发光装置

在过去的几十年中，发光二极管(LED)及有机发光二极管(OLED)得到迅速发展，并且开始取代现有的发光和显示装置。

OLED装置经常分为“底部发光”OLED和“顶部发光”OLED，“底部发光”OLED发出通过在其上设置OLED的透明基体的光，“顶部发光”OLED发出背离在其上设置OLED的基体的光。一些OLED的图案设置成形成可单独寻址的像素(图像元素)或子像素(组合在一起来形成像素但可单独寻址的不同颜色的多个相邻发射体中的一个)的阵列。这种像素化的OLED在数字显示装置中的使用越来越受欢迎。与像素化的OLED相比，其他的OLED设计为仅具有一个发光区域，该发光区域可能小且窄，或者是大的，且根据预期的应用而延伸。

由于LED和OLED的特定的装置结构，在活性区域内产生的大部分光在多个界面处全反射，并且被困在该装置内，导致发光装置的外部效率降低。

外部效率定义为：将由装置发出的所有光辐射的功率除以该装置所消耗的总电功率。外部效率是重要的因素，并且影响装置的特性，例如功率消耗、亮度及寿命。

对于OLED来说上述问题尤其严重，因为OLED的技术与其LED的对应物相比处于很初期的发展阶段。例如，在OLED发光装置所产生的所有光子中仅有20％能被提取出来。许多光提取方案已经应用到LED和OLED中，例如背面反射镜、高折射率的密封剂、使表面粗糙或使表面有纹理等。有纹理的提取膜对于OLED发光来说是受欢迎的方案，这是由于其与辊对辊制造工艺相兼容，并且可方便地应用到最终的封装层的任一侧上。

在图1中显示了具有带纹理的表面的典型的OLED装置的装置结构的教学式描述。对于顶部发光装置结构和底部发光装置结构来说，活性区域(101)均发出穿过透明导体(例如氧化铟锡)层(102)以及基体(103)的光，该基体具有带纹理的表面(104)以降低由在基体/空气界面处的全内反射所导致的光损失。

然而，在主动式基体OLED(AMOLED)显示器或被动式基体OLED(PMOLED)中，由于活性区域的像素化性质，表面纹理降低了像素的光学品质，产生了非预期的模糊效果。

发明内容

在本发明的技术的一个方面中，描述了这样的光提取结构：其可以直接设置在活性区域的顶部上，或者设置在其紧邻的附近或接近其设置。这种结构可改善OLED显示器的光提取，并同时维持像素的光学品质。

附图说明

图1显示了示例性的具有带纹理的表面的OLED装置结构。

图2显示了本发明的示例性的OLED装置结构。