[发明专利]半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺

说明书

本申请提供了一种半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺。该半导体器件的制作方法包括：步骤S1，在基底的表面上间隔设置两个接触电极；步骤S2，在各接触电极的远离基底的表面上以及两个接触电极之间的基底的表面上设置加热电极，各接触电极的远离基底的表面的部分裸露。该制作方法中，在接触电极的表面上直接设置加热电极，该方法避免了现有技术中在接触电极和加热电极之间设置通孔连接层，有效减少工艺步骤，减少光刻板层数，降低流片周期，节约成本。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺。

背景技术

现有技术中，光电子集成芯片中，加热器的接触电极和加热电极之间通常通过金属通孔电连接，这样使得光电子集成芯片的工艺流程较复杂，效率较低。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺，以解决现有技术中光电子集成芯片的工艺流程较复杂，流片周期较长的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件的制作方法，该制作方法包括：步骤S1，在基底的表面上间隔设置两个接触电极；步骤S2，在各上述接触电极的远离上述基底的表面上以及两个上述接触电极之间的上述基底的表面上设置加热电极，各上述接触电极的远离上述基底的表面的部分裸露。

进一步地，上述基底的形成过程包括：提供包括依次叠置设置的衬底、隔离层和波导层的预基底，上述波导层的材料的折射率大于上述隔离层的材料的折射率；对上述波导层进行刻蚀，形成波导；在上述波导的裸露表面上以及上述波导两侧的上述隔离层的裸露表面上设置包层，形成上述基底，上述包层的材料的折射率小于上述波导的材料的折射率，上述接触电极设置在上述波导两侧的上述包层的远离上述衬底的表面上。

进一步地，上述隔离层的材料和/或上述包层的材料包括SiO₂。

进一步地，上述波导层的材料包括Si、Si₃N₄与SiOH中的至少一种。

进一步地，上述步骤S2包括：在上述接触电极的远离上述基底的表面上以及两个上述接触电极之间的上述基底的表面上设置加热电极层；去除各上述接触电极表面上的部分加热电极层，且剩余的上述接触电极表面上的部分上述加热电极层和两个上述接触电极之间的部分上述加热电极层连接在一起，使得上述接触电极的远离所属基底的部分表面裸露，剩余的上述加热电极层形成上述加热电极。

进一步地，在上述步骤S2之后，上述制作方法还包括：在上述加热电极的远离上述基底的表面上、裸露的上述基底的表面上以及裸露的上述接触电极的表面上设置保护层；刻蚀去除位于上述接触电极表面上的部分上述保护层，使得各上述接触电极的远离上述基底的表面的部分裸露，剩余的上述保护层形成保护部。

进一步地，上述步骤S2包括：在上述接触电极的远离上述基底的表面上以及两个上述接触电极之间的上述基底的表面上设置加热电极层；在上述加热电极层的远离上述基底的表面上以及裸露的上述基底的表面上设置保护层；刻蚀去除部分上述保护层和部分上述加热电极层，使得各上述接触电极的远离上述基底的表面的部分裸露，且剩余的上述接触电极表面上的部分上述加热电极层和两个上述接触电极之间的部分上述加热电极层连接在一起，剩余的上述加热电极层形成上述加热电极，剩余的上述保护层形成保护部。

进一步地，上述加热电极的厚度在2～200nm之间。

进一步地，上述加热电极的材料包括Al、Ti、TiN、W与TaN中的至少一种，上述接触电极的材料包括AlCu、AlSi与Cu中的至少一种。