[发明专利]导电聚合物-卤化铅钙钛矿-导电聚合物三明治型光电薄膜的制备方法及其应用在审
| 申请号: | 201810877967.6 | 申请日: | 2018-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN109065728A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
| 发明(设计)人: | 姜辛;邱建航;邰凯平;王立鹏;王高翔;刘鲁生;李长记 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
| 地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导电聚合物 卤化 铅钙钛矿 光电薄膜 三明治型 制备 前驱体溶液 材料分散 反极性 钙钛矿 旋涂 退火 应用 光电转换性能 空穴传输材料 三明治结构 太阳能电池 薄膜材料 溶剂冲洗 旋涂机 溶剂 滴加 加热 复合 优化 | ||
1.一种导电聚合物-卤化铅钙钛矿-导电聚合物三明治型光电薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)卤化铅钙钛矿前驱体溶液配置:将卤化铅钙钛矿前驱体溶于前驱体溶剂中,室温搅拌1~24h成均一稳定透明溶液,前驱体溶液摩尔浓度在1.0~1.6M之间;
(2)N型导电聚合物/卤化铅钙钛矿前驱体溶液配置:将N型导电聚合物材料分散至步骤(1)卤化铅钙钛矿前驱体溶液中,浓度在1~100mg/mL范围;
(3)P型导电聚合物/反极性溶剂配置:将P型导电聚合物材料分散至反极性溶剂中,浓度在1~100mg/mL范围;
(4)旋涂N型导电聚合物/卤化铅钙钛矿前驱体溶液:取步骤(2)得到的N型导电聚合物/卤化铅钙钛矿前驱体溶液0.1~5mL,滴于基片上,静置2~600秒,启动旋涂机,以3000~6000rpm的转数旋涂20~60秒;
(5)P型导电聚合物/反极性溶剂冲洗过程:待步骤(4)中所述的旋涂机到达指定转速5~30秒后,取0.5~20mL的P型导电聚合物/反极性溶剂,一次性冲洗旋转基片表面;
(6)薄膜加热烘烤过程:将步骤(5)得到的基片置于热板炉上,在80~150℃条件下烘烤2~60分钟后,取下基片,冷却至室温,得到导电聚合物-卤化铅钙钛矿-导电聚合物三明治型光电薄膜。
2.根据权利要求1所述的导电聚合物-卤化铅钙钛矿-导电聚合物三明治型光电薄膜的制备方法,其特征在于,三明治型光电薄膜中,N型导电聚合物材料位于薄膜底层,卤化铅钙钛矿材料位于薄膜中间层,P型导电聚合物材料位于薄膜顶层。
3.根据权利要求1所述的导电聚合物-卤化铅钙钛矿-导电聚合物三明治型光电薄膜的制备方法,其特征在于,卤化铅钙钛矿前驱体为MAI、MABr、FAI、CsI、PbI2、PbBr2、PbCl2成分的两种或两种以上构成,前驱体溶剂为二甲基甲酰胺或基于二甲基甲酰胺的混合溶剂。
4.根据权利要求1所述的导电聚合物-卤化铅钙钛矿-导电聚合物三明治型光电薄膜的制备方法,其特征在于,N型导电聚合物/卤化铅钙钛矿前驱体溶液配置中,N型导电聚合物材料为富勒烯C60、PCBM或P3HT。
5.根据权利要求1所述的导电聚合物-卤化铅钙钛矿-导电聚合物三明治型光电薄膜的制备方法,其特征在于,P型导电聚合物/反极性溶剂配置中,P型导电聚合物材料为碳纳米管、酞菁铜、CuSCN、Spiro-OMETAD或PTAA,反极性溶剂为乙醚、氯苯或氯仿。
6.一种权利要求1至5之一所述方法制备的导电聚合物-卤化铅钙钛矿-导电聚合物三明治型光电薄膜的应用,其特征在于,在钙钛矿太阳能电池上所使用的钙钛矿层,采用所述方法制备的三明治型薄膜,这种三明治结构同时优化卤化铅钙钛矿材料与电子/空穴传输材料的界面,制备所得的钙钛矿光伏电池具有优异的光电转换性能。
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