[发明专利]改进的锗蚀刻系统和方法

权利要求书

1.一种蚀刻含锗材料的方法，所述方法包括：

在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体；

使所述含氟前驱物的等离子体流出物流过腔室部件中限定的孔，其中所述孔被涂覆有催化材料；

用所述催化材料来降低所述等离子体流出物中的氟自由基的浓度；

将所述等离子体流出物递送到所述半导体处理腔室的处理区域，其中包含含锗材料的基板被容置在所述处理区域中；以及

蚀刻所述含锗材料。

2.如权利要求1所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述催化材料包括一种或多种材料，所述一种或多种材料包括选自由以下项组成的群组中的元素：镍、钴、钒、铌、钽、铬、锰、铼、铁、钌、锇、钯、铂、铑和铱。

3.如权利要求1所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述腔室部件维持在高于约70℃的温度下。

4.如权利要求1所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述基板维持在低于约30℃的温度下。

5.如权利要求1所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述含锗材料包括SiGe。

6.如权利要求1所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述含锗材料是第一含锗材料，其中所述第一含锗材料相对于硅或第二含锗材料被蚀刻，并且其中所述第二含锗材料由比所述第一含锗材料低的锗浓度来表征。

7.如权利要求6所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述蚀刻具有相对于所述硅或所述第二含锗材料大于或为约300:1的面向于所述第一含锗材料的选择性。

8.如权利要求1所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述处理腔室内的压力被维持为高于约2Torr。

9.如权利要求1所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述腔室部件包括喷头或离子抑制器。

10.一种蚀刻含锗材料的方法，所述方法包括：

在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体；

使所述含氟前驱物的等离子体流出物流过包含催化材料的腔室部件；

通过所述催化材料催化转化所述等离子体流出物中的氟自由基的至少一部分；

将所述等离子体流出物递送到所述半导体处理腔室的处理区域，其中包含含锗材料的基板被容置在所述处理区域中；以及

蚀刻所述含锗材料。

11.如权利要求10所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述转化包括在所述催化材料上形成包括来自氟自由基的至少两个氟原子的材料。

12.如权利要求10所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述腔室部件包括远程等离子体单元递送管、阻挡板、面板、离子抑制器或喷头中的一个或多个。

13.如权利要求10所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述催化材料包括一种或多种材料，所述一种或多种材料包括选自由以下项组成的群组中的元素：镍、钴、钒、铌、钽、铬、锰、铼、铁、钌、锇、钯、铂、铑和铱。

14.如权利要求10所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述腔室部件维持在高于约70℃的温度下。

15.如权利要求10所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述基板维持在低于约30℃的温度下。

16.如权利要求10所述的蚀刻含锗材料的方法，其中所述处理腔室内的压力被维持为在约1Torr与约30Torr之间。