[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810877192.2 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109003994A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 何延强;林宗德;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 滤光片 隔离结构 光阻层 衬底 半导体 黑色滤光 串扰 分立 | ||
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成分立排列的滤光片隔离结构，所述滤光片隔离结构包括光阻层，其中，光阻层材料为黑色滤光材料；
在所述滤光片隔离结构之间形成滤光片。
2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底上形成分立排列的滤光片隔离结构包括：
在所述半导体衬底上形成分立排列的栅格结构；
采用旋涂工艺在所述半导体衬底和栅格结构上涂布光阻层材料；
对所述光阻层材料进行曝光显影，形成光阻层，所述光阻层包覆所述栅格结构，所述滤光片隔离结构包括所述栅格结构和光阻层；
进行烘烤工艺。
3.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底上形成分立排列的滤光片隔离结构包括：
采用旋涂工艺在所述半导体衬底上涂布光阻层材料；
对所述光阻层材料进行曝光显影，形成滤光片隔离结构；
进行烘烤工艺。
4.如权利要求2或3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述烘烤工艺的温度为180℃～300℃，时间为60s～180s。
5.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述黑色滤光材料为碳黑或钛黑材料。
6.如权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述栅格结构包括介质层和金属层，所述介质层包覆所述金属层。
7.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：在所述滤光片上形成微透镜。
8.一种图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底；
滤光片隔离结构，形成在所述半导体衬底上，所述滤光片隔离结构包括光阻层，其中，光阻层材料为黑色滤光材料；
滤光片，形成在所述滤光片隔离结构之间。
9.如权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述滤光片隔离结构还包括：形成在所述半导体衬底上的栅格结构，所述光阻层包覆所述栅格结构。
10.如权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述栅格结构包括：形成在所述半导体衬底上的金属层和包覆所述金属层的介质层。
11.如权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，还包括：形成在所述滤光片上的微透镜。
12.如权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述黑色滤光材料为碳黑或钛黑材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
