[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管；

在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层表面形成分立的金属栓；

在所述第一绝缘层表面形成层间介质层，所述层间介质层还覆盖所述金属栓的侧壁；

在所述层间介质层表面形成第二绝缘层；

刻蚀所述第二绝缘层，形成与所述光电二极管相对应的反射区，所述反射区远离光电二极管的表面为凸面；

在所述第二绝缘层上形成金属层，且将所述金属层覆盖所述反射区；

采用化学机械抛光工艺平坦化所述金属层至露出所述第二绝缘层，在金属栓上形成金属布线，在反射区上形成金属反射层，所述金属反射层与所述反射区接触面为凹面。

2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述反射区凸面的曲率半径为

3.如权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，刻蚀反射区表面形成凸面的方法为干法刻蚀法，采用的气体包括CF系列气体。

4.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成反射区同时或之前或之后，还包括：

刻蚀所述第二绝缘层露出所述金属栓，形成金属布线区。

5.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述金属层材料为铜或铝或钨。

6.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述第二绝缘层后，还包括：

在所述第二绝缘层上形成硬掩膜层；

刻蚀所述硬掩膜层，定义反射区图形；

在所述反射区图形表面形成光刻胶层；

进行退火工艺，使光刻胶层表面形成凸面；

以所述硬掩膜层为掩膜，沿光刻胶层刻蚀所述第二绝缘层。

7.如权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述退火温度为180℃～240℃，退火时间为50秒～80秒。

8.根据权利要求1～7任一项的方法形成的图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

光电二极管，位于所述半导体衬底内，且所述光电 二极管分立排列；

第一绝缘层，位于所述半导体衬底表面；

金属栓，位于所述第一绝缘层表面；

层间介质层，位于所述第一绝缘层表面，且覆盖所述金属栓的侧壁；

第二绝缘层，位于所述层间介质层表面；

反射区，位于所述光电二极管上方的所述第二绝缘层内，所述反射区远离光电二极管的表面为凸面。

9.如权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

金属反射层，位于所述反射区上且表面与所述第二绝缘层表面齐平，所述金属反射层与所述反射区接触面为凹面；

金属布线，位于所述第二绝缘层内且与所述金属栓电连接。