[发明专利]一维光子晶体日盲紫外带通滤波器有效

专利信息
申请号: 201810876263.7 申请日: 2018-08-03
公开(公告)号: CN109116457B 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 杨毅彪;白雅婷;赵晓丹;张明达;费宏明 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20;G02B1/00
代理公司: 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 代理人: 任林芳;赵江艳
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 光子 晶体 紫外 带通滤波器
【权利要求书】:

1.一维光子晶体日盲紫外带通滤波器,其特征在于,其量子阱结构(PC1)T(PC2)N(PC3)N(PC4)N(PC5)M是由晶格常数依次增加的五种光子晶体PC1、PC2、PC3、PC4、PC5依次堆叠而成,所述光子晶体均由高折射率材料层和低折射率材料层周期性排列而成;每种光子晶体中,高折射率材料层的厚度相等,低折射率材料层的厚度相同;所述光子晶体PC1的周期T为6,光子晶体PC2、PC3、PC4的周期N为3~6,光子晶体PC5的周期M为6~10;所述晶格常数为高折射率材料层的厚度与低折射率材料层的厚度之和;所述光子晶体PC1、PC2、PC3、PC4、PC5中,高折射率材料层的厚度分别为40.1nm、48.3nm、56.4nm、66.8nm、77.1nm,低折射率材料层的厚度分别为57.4nm、68nm、78.7nm、92.5nm、106.2nm;

所述光子晶体中,高折射率材料层的材料为H:Si3N4,低折射率材料层的材料为L:SiO2

2.根据权利要求1所述的一维光子晶体日盲紫外带通滤波器,其特征在于,量子阱结构中,光子晶体PC5的周期为10。

3.根据权利要求2所述的一维光子晶体日盲紫外带通滤波器,其特征在于,量子阱结构中,光子晶体PC2、PC3、PC4的周期为6。

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