[发明专利]基板处理方法有效
申请号: | 201810876128.2 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109509714B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 朴珉贞;郑煐宪;徐庚进 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G03F7/16 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 曹桓;张云肖 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
1.一种基板处理方法,对基板进行液体处理,其中,
该基板处理方法包括液体涂布步骤,在该液体涂布步骤中,向旋转的上述基板供给感光液来将感光液涂布于上述基板上,
上述液体涂布步骤包括加速步骤,在该加速步骤中,在供给上述感光液的期间,将上述基板的旋转速度从第一速度加速至第二速度为止,
通过根据上述感光液的粘度与基准值的比较结果控制从上述第一速度达到上述第二速度为止的时间即达到时间,来控制与上述基板上的不同区域对应的上述感光液的厚度,
上述基准值为,与上述达到时间的变更对应地,在上述基板的中心区域的上述感光液膜的厚度变化量与在上述基板的缘部区域的上述感光液膜的厚度变化量相同的粘度。
2.如权利要求1所述的基板处理方法,其中,
上述感光液包括第一液体及第二液体,其中,上述第一液体用于向第一基板供给,并且具有第一粘度,上述第二液体用于向第二基板供给,并且具有与上述第一粘度不同的第二粘度,
通过控制上述达到时间,彼此不同地调节由上述第一液体形成的第一液膜与由上述第二液体形成的第二液膜各自的与不同区域对应的厚度的变化量。
3.如权利要求2所述的基板处理方法,其中,
上述液体涂布步骤还包括匀速步骤,在该匀速步骤中,在进行上述加速步骤之后供给上述感光液的期间,将上述第二速度保持一定时间,
处理上述第一基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值与处理上述第二基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值相同,
上述一定时间为在上述加速步骤和上述匀速步骤所需时间之和中去除上述达到时间的时间。
4.如权利要求3所述的基板处理方法,其中,
在上述加速步骤中,形成上述第一液膜时上述达到时间为第一时间,形成上述第二液膜时上述达到时间为第二时间。
5.如权利要求2所述的基板处理方法,其中,
上述第一粘度具有比基准值低的粘度,
需要在上述基板的缘部区域增大上述第一液膜的厚度时,延长上述达到时间。
6.如权利要求2所述的基板处理方法,其中,
上述第一粘度具有比基准值低的粘度,
需要在上述基板的缘部区域减小上述第一液膜的厚度时,缩短上述达到时间。
7.如权利要求2所述的基板处理方法,其中,
上述第二粘度具有比基准值高的粘度,
需要在上述基板的中心区域增大上述第二液膜的厚度时,缩短上述达到时间。
8.如权利要求2所述的基板处理方法,其中,
上述第二粘度具有比基准值高的粘度,
需要在上述基板的缘部区域减少上述第二液膜的厚度时,延长上述达到时间。
9.如权利要求2至4中任一项所述的基板处理方法,其中,
上述第一粘度比上述第二粘度小,
向上述第一基板供给上述第一液体时的上述达到时间比向上述第二基板供给上述第二液体时的上述达到时间长。
10.如权利要求2至4中任一项所述的基板处理方法,其中,
上述第一粘度比上述第二粘度小,
向上述第一基板供给上述第一液体时的上述达到时间比向上述第二基板供给上述第二液体时的上述达到时间短。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造