[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

第一栅极，配置于基底上；

栅介电层，配置于所述第一栅极与所述基底之间；

一对第二栅极，配置于所述基底上且分别位于所述第一栅极的二侧，其中所述一对第二栅极的顶面高于所述第一栅极的顶面；

第一间隙壁，配置于所述一对第二栅极的自所述第一栅极的顶面凸出的侧壁上，且覆盖所述第一栅极的顶面，所述第一间隙壁包括两个合并在一起的间隔物，所述两个合并在一起的间隔物的中间具有凹部；以及

第二间隙壁，配置于所述栅介电层与所述一对第二栅极之间、所述第一栅极与所述一对第二栅极之间以及所述第一间隙壁与所述一对第二栅极之间。

2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括第三间隙壁，配置于所述一对第二栅极的远离所述第一栅极的侧壁上。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中所述第三间隙壁的材料与所述第一间隙壁的材料相同。

4.如权利要求2所述的半导体元件，还包括硅化物层，配置于所述一对第二栅极的顶面上。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中所述一对第二栅极的顶面低于所述第二间隙壁的顶面，且所述半导体元件还包括配置于所述一对第二栅极的顶面上且位于所述第二间隙壁上的第四间隙壁，且所述硅化物层位于所述一对第二栅极的被暴露的顶面上。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中所述第三间隙壁的材料、所述第四间隙壁的材料与所述第一间隙壁的材料相同。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述第一间隙壁的材料包括氮化物。

8.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述第二间隙壁的材料包括氧化物。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述一对第二栅极的自所述第一栅极的顶面凸出的侧壁的高度和所述第一栅极的宽度的比例大于2。

10.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上形成栅极结构，其中所述栅极结构包括位于所述基底上的栅介电层、位于所述栅介电层上的第一栅极以及位于所述第一栅极上的硬掩模层；

在所述栅极结构的侧壁上形成第一间隙壁；

分别于所述栅极结构的两侧的所述第一间隙壁上形成第二栅极，其中所述第二栅极的顶面高于所述第一栅极的顶面；

移除所述硬掩模层；以及

在所述第一间隙壁的自所述第一栅极的顶面凸出的侧壁上与所述第二栅极的侧壁上形成第二间隙壁，其中所述第二间隙壁覆盖所述第一栅极的顶面，所述第二间隙壁包括两个合并在一起的间隔物，所述两个合并在一起的间隔物的中间具有凹部。

11.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其中所述栅极结构的形成方法包括：

在所述基底上依序形成栅介电材料层、栅极材料层与硬掩模材料层；以及

进行图案化制作工艺，移除部分所述栅介电材料层、部分所述栅极材料层与部分所述硬掩模材料层。

12.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其中所述第一间隙壁的形成方法包括：

在所述基底上共形地形成间隙壁材料层；以及

进行各向异性蚀刻制作工艺，移除部分所述间隙壁材料层而保留位于所述栅极结构的侧壁上的所述间隙壁材料层。

13.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其中所述第二栅极的形成方法包括：

在所述基底上共形地形成栅极材料层；以及

进行各向异性蚀刻制作工艺，移除部分所述栅极材料层而保留位于所述栅极结构的侧壁上的所述栅极材料层。