[发明专利]一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201810874627.8 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN110797440A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 林伟;吴向龙;徐晓强;闫宝华 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化硅钝化层 干法刻蚀 金属电极 图形制作 电极 蒸镀 发光二极管芯片 腐蚀 电流扩展层 透明导电膜 电极掩膜 高温退火 台面结构 台面制作 长电极 钝化层 面结构 氧化硅 氧化锌 光刻 制备 制作 | ||
1.一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述发光二极管芯片由下自上依次包括N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、ZnO电流扩展层，还包括N电极、P电极，所述P电极设置在所述ZnO电流扩展层上，所述N电极设置在所述N-GaN层上；包括：
(1)在所述N-GaN层上依次生长所述量子阱层、所述P-GaN层；
(2)在所述P-GaN层上生长一层ZnO透明导电膜；
(3)在所述ZnO透明导电膜表面上，光刻后湿法腐蚀得到所述ZnO电流扩展层的台面图形；
(4)在步骤(3)处理后的晶片表面上，光刻后ICP干法刻蚀得到P-GaN层的台面图形；
(5)在步骤(4)处理后的晶片表面上，光刻出P电极图形、N电极图形，蒸镀并剥离清洗后，得到P电极、N电极；
(6)在步骤(5)处理后的晶片表面上，沉积氧化硅钝化层；
(7)在所述氧化硅钝化层表面涂负性光刻胶，对负性光刻胶进行光刻，将P电极、N电极上的氧化硅钝化层露出；
(8)使用ICP干法刻蚀掉P电极、N电极上的氧化硅钝化层，去除负性光刻胶，即得。
2.根据权利要求1所述的一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)之后进行以下处理：对所述ZnO透明导电膜进行高温退火处理。
3.根据权利要求2所述的一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，退火温度为300-600℃，退火过程中的气体为N2、O2、H2中一种或几种；
进一步优选的，退火温度为400-500℃，退火过程中的气体为N2、O2，或N2与O2的组合；
最优选的，退火温度为430℃，退火过程中的气体为N2。
4.根据权利要求1所述的一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述ZnO透明导电膜的厚度为800-5000埃；
进一步优选的，所述ZnO透明导电膜的厚度为1000-2000埃；
最优选的，所述ZnO透明导电膜的厚度为1500埃。
5.根据权利要求1所述的一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)中，所述氧化硅钝化层的厚度为700-3000埃；
进一步优选的，所述氧化硅钝化层的厚度为1000-2000埃；
最优选的，所述氧化硅钝化层的厚度为1400埃。
6.根据权利要求1所述的一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(8)中，ICP干法刻蚀的反应气体为Cl2、BCl3、Ar、SF6、CF4中的一种或几种的组合；
进一步优选的，ICP干法刻蚀的反应气体为Cl2、SF6的组合气体；
最优选的，ICP干法刻蚀的反应气体为SF6。
7.根据权利要求1所述的一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)，包括步骤如下：
A、在步骤(4)处理后的晶片表面涂上负性光刻胶，对负性光刻胶进行光刻，光刻出P电极图形、N电极图形；
B、蒸镀P电极图形、N电极图形，进行剥离清洗，去除负性光刻胶和除P电极、N电极外的金属。
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