[发明专利]具有绝缘的源极/漏极跳线结构的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

绝缘体，在衬底上并具有相对的第一侧和第二侧，所述第一侧和所述第二侧中的每一个沿第一方向延伸；

第一鳍图案，从所述绝缘体的第三侧沿所述第一方向延伸；

第二鳍图案，从所述绝缘体的第四侧沿所述第一方向延伸；

第一栅极结构，从所述绝缘体的所述第一侧沿横向于所述第一方向的第二方向延伸；

第二栅极结构，从所述绝缘体的所述第二侧沿所述第二方向延伸；

第三鳍图案，与所述第一栅极结构交叠，与所述绝缘体的所述第一侧隔开，并且沿所述第一方向延伸；以及

第四鳍图案，与所述第二栅极结构交叠，与所述第二侧隔开，并且在所述第二侧延伸的方向上延伸，

其中所述绝缘体的上表面高于所述第一鳍图案的上表面和所述第二鳍图案的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括在所述绝缘体之下并设置在所述第一鳍图案和所述第二鳍图案之间的绝缘图案。

3.根据权利要求2所述的所述半导体装置，还包括设置在所述衬底上并部分覆盖所述第一鳍图案、所述第二鳍图案、所述第三鳍图案和所述第四鳍图案的场绝缘层，其中所述绝缘图案包括与所述场绝缘层相同的材料，并且其中所述绝缘图案的上表面高于所述场绝缘层的上表面。

4.根据权利要求1所述的所述半导体装置，还包括在所述绝缘体之下并设置在所述第一鳍图案和所述第二鳍图案之间且连接所述第一鳍图案和所述第二鳍图案的连接鳍图案。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一源极/漏极区，设置在于所述绝缘体的至少一侧附近；以及

源极/漏极接触件，设置在所述绝缘体上并连接到所述第一源极/漏极区。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述源极/漏极接触件包括直接接触所述第一源极/漏极区的第一部分和在所述绝缘体之上并连接到所述源极/漏极接触件的所述第一部分的第二部分。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述绝缘体的部分插入所述源极/漏极接触件的所述第二部分中。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一源极/漏极区，设置在所述第一栅极结构的一侧上；以及

第二源极/漏极区，设置在所述第一栅极结构的第二侧上并连接到所述第一源极/漏极区。

9.一种半导体装置，其特征在于，包括：

场绝缘层，设置在衬底上，隔开从所述场绝缘层的上表面突出的第一鳍图案和第二鳍图案；

绝缘图案，设置在所述第一鳍图案和所述第二鳍图案之间，并从所述场绝缘层的上表面突出；

第一栅极结构，设置在所述第一鳍图案上；

第二栅极结构，设置在所述第二鳍图案上；以及

绝缘体，设置在所述场绝缘层上，覆盖所述绝缘图案，并接触所述第一栅极结构和所述第二栅极结构。

10.根据权利要求9所述的所述半导体装置，其中所述第一栅极结构从所述绝缘体的第一侧延伸，且所述第二栅极结构从与所述绝缘体的所述第一侧相对的所述绝缘体的第二侧延伸。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括：

第三栅极结构，从所述绝缘体的所述第一侧延伸并与所述第一栅极结构间隔开；以及

第四栅极结构，从所述绝缘体的所述第二侧延伸并与所述第二栅极结构间隔开。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述绝缘图案包括与所述场绝缘层相同的材料。

13.根据权利要求12所述的所述半导体装置，还包括设置在所述第一鳍图案和所述第二鳍图案之间并且通过所述绝缘图案而彼此绝缘的第三鳍图案和第四鳍图案。