[发明专利]一种晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一导电类型的衬底和外延层；

在所述外延层上表面形成氧化层；

在所述氧化层和所述外延层上表面形成第一沟槽，其底部及侧壁形成栅氧化层并填充多晶硅以形成栅极结构；

刻蚀去除所述氧化层和所述栅氧化层；

在所述外延层上表面形成多晶硅氧化层和外延层氧化层；

在所述外延层上表面形成第二沟槽；

在所述第二沟槽底部及侧壁形成第二导电类型的体区；

在所述第二沟槽内形成第二导电类型的深体区；

在所述体区和所述深体区形成第一导电类型的源区；

在所述外延层上表面形成介质层；

在所述晶体管的上表面形成源极金属层，在所述晶体管下表面形成漏极金属层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述外延层通过掺杂第一导电类型的离子形成于所述衬底的上表面，所述外延层上表面通过干氧氧化形成所述氧化层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述氧化层和所述外延层上表面形成第一沟槽具体包括，所述氧化层进行光刻和刻蚀，并以刻蚀后的所述氧化层作为掩膜刻蚀形成所述第一沟槽。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，刻蚀去除所述氧化层和栅氧化层具体包括，通过湿法刻蚀去除所述外延层上表面的氧化层和所述外延层上表面第一沟槽内的栅氧化层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述外延层上表面形成多晶硅氧化层和外延层氧化层具体包括，所述外延层上表面凸出的多晶硅通过氧化工艺形成所述多晶硅氧化层，所述外延层经过氧化工艺其上表面同时形成所述外延层氧化层，所述外延层氧化层厚度小于所述多晶硅氧化层。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述外延层上表面形成第二沟槽之前具体包括，通过干法刻蚀去除所述外延层上表面的所述外延层氧化层。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述外延层上表面形成第二沟槽具体包括，所述第二沟槽形成于两个相邻的所述第一沟槽的中间。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第二沟槽内壁形成第二导电类型的体区具体包括，在所述第二沟槽底部及侧壁通过离子注入的方式形成所述体区，所述体区轻掺杂的离子类型为第二导电类型。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述体区后对所述体区进行热驱入，用于使离子扩散至栅氧化层侧壁。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第二沟槽内形成第二导电类型的深体区具体包括，所述第二沟槽填充第二导电类型的重掺杂外延形成深体区，对所述深体区沿晶体管上表面进行干法回刻，用于平坦化晶体管上表面。