[发明专利]一种用于防止双电源切换产生漏电的电路及电子装置

权利要求书

1.一种用于防止双电源切换产生漏电的电路，其特征在于，所述电路包括：第一供电模块，第二供电模块，第一开关模块，第二开关模块，切换模块；

第二开关模块，其一端与第一开关模块连接，其另一端为输出电流端，其第三端与第一供电模块的控制管脚连接，用于根据所述第一供电模块的控制管脚的信号执行接通或断开操作；

第二供电模块，其一端与所述第二开关模块的输出电流端连接，另一端是第二供电模块的前端；

所述第一开关模块，其另一端与所述第一供电模块连接，其第三端与切换模块连接，用于根据所述切换模块的切换信号执行接通或断开操作；

所述切换模块，其一端连接到所述第一开关模块和第二开关模块之间，其另一端与所述第一开关模块的第三端连接，所述切换模块的第三端与控制端连接，所述切换模块根据控制端的信号向所述第一开关模块的第三端发出切换信号；

所述控制端的信号，与所述第一供电模块的电流输出相关联。

2.根据权利要求1所述电路，其特征在于，所述切换模块，包括双极结型晶体管；

双极结型晶体管，其发射极连接到所述第一开关模块和第二开关模块之间，其集电极与所述第一开关模块的第三端连接，用于当进入第二状态时，所述控制端向所述双极结型晶体管的基极输出低电压，进而集电极和发射极导通，并向所述第一开关模块的第三端发出断开信号；其中，所述第一状态，是指所述第一供电模块和第二供电模块处于供电状态；所述第二状态，是指在第一状态后所述第一供电模块退出供电状态。

3.根据权利要求2所述电路，其特征在于，所述控制端，至少包括：第一电阻，第二电阻，第三电阻和耗尽型N沟道场效应管；

第一电阻，一端连接所述双极结型晶体管的基极，另一端连接耗尽型N沟道场效应管的漏极；

所述连接耗尽型N沟道场效应管，其源极接地，其栅极连接第二电阻的一端；

所述第二电阻，其另一端连接所述第二供电模块的前端；

第三电阻，其一端连接到所述第二电阻和连接耗尽型N沟道场效应管的栅极之间，其另一端接地。

4.根据权利要求2所述电路，其特征在于，所述第一开关模块，包括第一寄生二极管的增强型P沟道场效应管和第四电阻；

第一寄生二极管的增强型P沟道场效应管，其源极与所述第一开关模块连接，其漏极与所述第一供电模块连接，其栅极与切换模块的双极结型晶体管的发射极连接；

第四电阻，其一端与所述第一寄生二极管的增强型P沟道场效应管的栅极连接，其另一端接地。

5.根据权利要求1所述电路，其特征在于，所述第二开关模块，包括第二寄生二极管的增强型P沟道场效应管；

第二寄生二极管的增强型P沟道场效应管，其源极与所述第一开关模块连接，其漏极为输出电流端，其栅极与第一供电模块的控制管脚连接。

6.根据权利要求1-5任意一项所述电路，其特征在于，所述第二供电模块是采用电源适配器将交流转变成直流的供电模块。

7.根据权利要求1-5任意一项所述电路，其特征在于，所述第一供电模块是采用USBtype-c接口作为供电接口的供电模块。

8.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括装置主体及如权利要求1至7任意一项所述用于防止双电源切换产生漏电的电路。

9.根据权利要求8所述装置，其特征在于，所述用于防止双电源切换产生漏电的电路设置于装置主体的壳体内。