[发明专利]一种图形化衬底、LED外延片及图形化衬底制备方法

权利要求书

1.一种图形化衬底，其特征在于，包括：

蓝宝石基板；

位于所述蓝宝石基板上的图形化二氧化硅层，所述图形化二氧化硅层包括多个微结构，所述微结构带有侧壁弧度。

2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述微结构为类圆锥形、类圆台型、类多边锥形或类多边台形。

3.根据权利要求2所述的图形化衬底，其特征在于，所述微结构的侧壁弧度的隆起高度为70～300nm。

4.根据权利要求3所述的图形化衬底，其特征在于，所述微结构的高度为0.1μm～2.5μm；所述微结构的底部直径为0.1μm～5μm；所述微结构的间距为0μm～2μm。

5.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述图形化衬底还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述图形化二氧化硅层背离所述蓝宝石基板一侧。

6.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述缓冲层为AlN缓冲层，所述AlN缓冲层厚度为1nm～100nm。

7.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述多个微结构呈周期性正方格子排布、周期性六角密堆积排布、非周期性的准晶排布或随机排布。

8.一种LED外延片，其特征在于，包括如权利要求1-7任一所述的图形化衬底，以及形成于图形化衬底上的外延层。

9.一种图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括：

提供一蓝宝石基板；

在所述蓝宝石基板上形成二氧化硅层；

将所述二氧化硅层蚀刻为多个带有侧壁弧度的微结构，形成图形化二氧化硅层。

10.根据权利要求9所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述将所述二氧化硅层蚀刻为多个带有侧壁弧度的微结构，形成图形化二氧化硅层，包括：

在所述二氧化硅层上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行图形化；

利用预设气体比例的六氟化硫和氧气的混合气体，将所述二氧化硅层为多个带有侧壁弧度的微结构，形成图形化二氧化硅层。

11.根据权利要求10所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述预设气体比例为5:1～10:1。

12.根据权利要求10所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行图形化，包括：

采用光刻方法对所述光刻胶层进行图形化，或采用纳米压印对所述光刻胶层进行图形化。

13.根据权利要求9所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述图形化二氧化硅层上形成缓冲层。