[发明专利]一种智能型控制断电的电路及方法

说明书

本发明属于电路断电技术领域，公开了一种智能型控制断电的电路及方法，智能型控制断电的电路包括：供电模块、电流检测模块、电压检测模块、主控模块、电路监测模块、断电测试模块、告警模块、显示模块。本发明通过断电测试模块对智能卡写数据指令执行过程中的断电测试以及在数据恢复指令执行过程中的断电测试，测试覆盖全面，解决了现有的单指令断电测试无法检测在卡片执行数据恢复时断电保护机制是否正确的问题；同时通过电路监测模块、告警模块能够及时检测电路故障，并发出警告声，提醒工作人员做好防护措施。

技术领域

本发明属于电路断电技术领域，尤其涉及一种智能型控制断电的电路及方法。

背景技术

目前，业内常用的现有技术是这样的:

电路是电流所流经的路径,或称电子回路，是由电气设备和元器件；按一定方式联接起来。如电阻、电容、电感、二极管、三极管、电源和开关等，构成的网络。电路规模的大小，可以相差很大，小到硅片上的集成电路，大到高低压输电网。根据所处理信号的不同，电子电路可以分为模拟电路和数字电路。然而，现有电路在断电情况发生时，IC卡片在执行数据恢复过程中若卡片再次断电，很可能导致卡片数据恢复不完整，甚至出现恢复错误，而现有的单指令断电测试对这种卡片设计缺陷是无法检测的；同时如果电路故障，无法断电；则不能及时通知，造成能源浪费。

随机静态存储器(SRAM)是SoC系统中非常重要的一部分，传统的6管单元由于读写操作的可靠性问题决定了其最低工作电压很难跟随着制造工艺的前进而继续缩减下去。

传统的6T SRAM存储单元：MP1、MN1与MP2、MN2两个反相器组成锁存器，外部写入的数据存储在Q或QB，MN3、MN4为开关管，WL为字线，BL、BLB为位线。写操作时：如果对Q(原状态为“1”)写入“0”，首先位线BL与BLB预充电至“1”，然后根据要写入的数据类型将BL与BLB分别被置为“0”与“1”；再将字线WL置为“1”，使得MN3、MN4两个开关管导通；Q端从“1”变“0”，QB从“0”变为“1”，写操作结束。读操作时(假设Q端存“0”)：首先BL、BLB被预充电到“1”；字线WL拉高为“1”，MN3、MN4两个开关管导通，BLB保持“1”态，BL慢慢被拉低至“0”，灵敏放大器将BL、BLB之间电压差放大并将存储单元的“0”态读出。

由于器件尺寸不断缩小与器件工作电压的不断降低，使得传统的6T SRAM单元在稳定性上面临更大的挑战。随着工作电压的降低，由于传输管MN3与MN4的驱动力的降低以及MP1、MN1(或者MP2、MN2)组成的反相器的电压翻转点的降低，使得传统的6T SRAM存储单元的写入数据的能力严重下降；而VDD的下降，静态噪声容限(SNM)也会下降。

综上所述，现有技术存在的问题是：

现有电路在断电情况发生时，IC卡片在执行数据恢复过程中若卡片再次断电，很可能导致卡片数据恢复不完整，甚至出现恢复错误，而现有的单指令断电测试对这种卡片设计缺陷是无法检测的；同时如果电路故障，无法断电；则不能及时通知，造成能源浪费。

传统的6T SRAM存储单元在工作电压较高的情况下稳定性与面积成本都能兼顾得到，但是，由于降低功耗的要求驱使，随着最低工作电压逐步减小，存储单元难以被写入数据或写入数据失败，而且随着VDD的下降，静态噪声容限也跟着下降，存储单元的稳定性在低电压条件下受到威胁。

在电流、电压预测过程中，之间的时间和空间相关性是并存的，并且随着距离的不同而不一样，文献考虑了周围之间的相关性，其余的都未考虑之间的空间相关性，对预测精度必然存在较大的影响，所以预测模型可以进一步完善。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种智能型控制断电的电路及方法。

本发明是这样实现的，一种智能型控制断电的电路，所述智能型控制断电的电路包括：