[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810869534.6 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109037257A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 田成俊;洪纪伦;倪明明;吴孝哲;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 图像传感器 半导体 外延层 碳化物层 金属粒子 金属污染 吸附能力 碳离子 生长 覆盖 | ||
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
对所述半导体衬底进行碳离子注入，以在所述半导体衬底内形成碳化物层；
生长外延层，所述外延层覆盖所述半导体衬底。
2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，
所述碳化物层位于所述半导体衬底的顶部，或者所述碳化物层距离所述半导体衬底的顶部表面具有预设距离。
3.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底，所述碳化物层的材料为碳化硅。
4.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在生长所述外延层之前，还包括：
采用退火工艺对所述碳化物层进行退火。
5.根据权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的工艺参数为：
退火温度为800摄氏度至1200摄氏度；
退火时长为5s至60s。
6.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述图像传感器为BSI-CIS，所述方法还包括：
自所述半导体衬底的背面，刻蚀去除所述碳化物层以及所述半导体衬底的至少一部分；
其中，所述外延层位于所述半导体衬底的正面。
7.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，向所述半导体硅衬底内进行碳离子注入的注入参数包括：
注入能量为0.5KeV至60KeV；
注入剂量为1E13atom/cm2至5E16atom/cm2。
8.一种图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底；
碳化物层，位于所述半导体衬底内；
外延层，覆盖所述半导体衬底。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底，所述碳化物层的材料为碳化硅。
10.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述外延层的厚度为2μm至10μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
