[发明专利]显示装置及电子设备在审

专利信息
申请号: 201810867703.2 申请日: 2013-11-28
公开(公告)号: CN109037207A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 山崎舜平;木村肇;三宅博之;小山润 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/12;H01L27/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;杨美灵
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 像素部 绝缘层 显示装置 驱动电路 像素电极 电极 晶体管 电路 电子设备 双方连接 电连接 矩阵状 配置
【权利要求书】:

1.一种包括保护电路的显示装置,

该保护电路包括:

与栅电极在同一表面上的第一导电层;

所述第一导电层上的第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上且位于与所述第一导电层重叠的位置的氧化物半导体层;

所述氧化物半导体层上的第二绝缘层;以及

所述第二绝缘层上的第二导电层,

其中,所述第二导电层通过形成在所述第二绝缘层中的开口部与所述氧化物半导体层电连接。

2.根据权利要求1所述的显示装置,

其中所述氧化物半导体层以至少包含铟、锌及M的In-M-Zn氧化物表示,

并且M为Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金属元素。

3.根据权利要求1所述的显示装置,

其中所述氧化物半导体层包含结晶部,

并且在所述结晶部中,c轴在平行于形成所述氧化物半导体层的表面的法线向量的方向上取向。

4.根据权利要求1所述的显示装置,还包括晶体管,

其中,所述晶体管包括栅极绝缘层,

所述栅极绝缘层包括所述第一绝缘层,

并且,所述第一绝缘层包括:

包含氮和硅的第三绝缘层;以及

包含氧、氮和硅的第四绝缘层。

5.根据权利要求1所述的显示装置,

其中所述第一绝缘层的电阻率大于或等于1010Ωcm且小于1018Ωcm。

6.根据权利要求4所述的显示装置,

其中所述第三绝缘层是氮化硅膜。

7.一种包括根据权利要求1所述的显示装置的电子设备。

8.一种显示装置,包括:

像素部;以及

与所述像素部电连接的保护电路,所述保护电路包括元件,

其中,所述元件包括:

氧化物半导体层;

所述氧化物半导体层上的绝缘层,所述绝缘层包括第一开口和第二开口;

所述绝缘层上的第一导电层,所述第一导电层通过所述第一开口与所述氧化物半导体层电连接;

所述绝缘层上的第二导电层,所述第二导电层通过所述第二开口与所述氧化物半导体层电连接。

9.一种显示装置,包括:

像素部;以及

与所述像素部电连接的保护电路,所述保护电路包括元件,

其中,所述元件包括:

氧化物半导体层,包括在第一方向延伸的第一部分和在与所述第一方向垂直的第二方向延伸的第二部分;

所述氧化物半导体层上的绝缘层,所述绝缘层包括第一开口和第二开口;

所述绝缘层上的第一导电层,所述第一导电层通过所述第一开口与所述氧化物半导体层电连接;

所述绝缘层上的第二导电层,所述第二导电层通过所述第二开口与所述氧化物半导体层电连接。

10.一种显示装置,包括:

像素部;以及

与所述像素部电连接的保护电路,所述保护电路包括元件,

其中,所述元件包括:

第一导电层;

所述第一导电层上的第一绝缘层;

所述第一绝缘层上的氧化物半导体层,所述氧化物半导体层重叠于所述第一导电层;

所述氧化物半导体层上的绝缘层,所述绝缘层包括第一开口和第二开口;

所述绝缘层上的第二导电层,所述第二导电层通过所述第一开口与所述氧化物半导体层电连接;

所述绝缘层上的第三导电层,所述第三导电层通过所述第二开口与所述氧化物半导体层电连接。

11.根据权利要求10所述的显示装置,

其中所述第一导电层与所述第三导电层电连接。

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