[发明专利]一种聚酰亚胺电存储新材料的制备方法

说明书

本发明涉及材料制备领域，具体关于一种聚酰亚胺电存储新材料的制备方法；本方法用2,2‑二溴‑4,4‑二氨基联苯和3,4,5‑三氟联苯基硼酸在三苯基膦醋酸钯和碳酸钾的催化作用下发生偶联反应，制备了一种含氟芳基联苯二胺单体；用该种单体和2,2‑二三氟苯基‑3,3',4,4'‑联苯四羧酸二酐室温搅拌反应8‑15h后用封端剂封端后得到聚酰亚胺材料，将得到的材料旋涂于氧化铟锡玻璃上，蒸镀上铝膜电极，即可得到所述的一种聚酰亚胺电存储新材料。该种聚酰亚胺电存储新材料不含柔性链段，热稳定性好；该材料表现出稳定的存储特性，更低的光学带隙和更高的ON/OFF电流比，在电双稳态存储器件上具有广阔的应用前景。

技术领域

本发明涉及材料制备领域，具体关于一种聚酰亚胺电存储新材料的制备方法。

背景技术

信息技术的蓬勃发展要求电存储器件朝着非易失性、高存储容量、快速响应和低成本的方向发展。功能化聚酰亚胺具有优异的热稳定性、透光性、化学稳定性和成膜性等特点，在各类光电材料中得到广泛应用。

CN103497176A公开了一种三进制电存储材料及其制备和应用，其中三进制电存储材料的化学结构通式为：其中，x为5-9；y为1-5；数均分子量为11000-13000，分子量分布为1.4-1.6，R为-Br、或-H、或-NO₂、或-N(CH₂CH₃)₂。该发明的三进制电存储材料具有超高电信息存储密度的优越性能，大大提高了材料的信息存储能力。同时，基于上述三进制电存储材料能够制得三进制数据存储器件，该制备方法简单，效率高，制备的三进制数据存储器件稳定性高，在单位密度内的数据存储量将比基于“0”、“1”二进制数据存储呈指数级增长，因此在下一代的超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。

CN1821087A提供了一种在基片上定向生长高c轴取向的钕掺杂钛酸铋[(Bi，Nd)₄Ti₃O₁₂，BNT]纳米线阵列铁电存储材料及其合成方法，它是先选择一种与BNT材料晶格匹配的基片，并采用磁控溅射方法在基片上溅射Au或Pt量子点作催化剂，配制含Bi³⁺、Nd³⁺和Ti⁴⁺的前驱体溶液，然后将基片和前驱体溶液放入高压反应器内，严格控制水热合成的工艺条件(如温度、压强、反应时间等)，生长合成出高c轴取向钕掺杂钛酸铋纳米线阵列铁电存储材料，利用纳米线阵列的垂直记录模式，将大大提高材料单位面积上的存储容量，从而将使器件尺寸进一步降低。铁电纳米线阵列可望取代铁电薄膜在铁电存储介质方面的应用，成为新一代铁电存储材料。

CN101560304A公开了一种芴-三苯胺共轭聚合物电存储器件的制备方法：将ITO玻璃在水、无水乙醇、丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，保存在无水乙醇中备用；以权利要求1所述的芴-三苯胺共聚物为电存储材料，配制成3-15mg/mL的聚合物溶液；将聚合物溶液均匀的旋涂在ITO玻璃上，真空干燥，除去溶剂；通过真空蒸镀的方法将顶电极Al镀在聚合物上。利用该发明制备的有机电存储器件具有工艺操作简单、成本低、工作电压低、开关电流比大的特点。在信息存储领域中具有良好的应用前景。

虽然聚酰亚胺材料作为光电材料受到广泛研究，但是由于合成成本较高、工艺比较复杂等原因，功能化的聚酰亚胺单体在市场上销售价格昂贵，种类较少，特别是柔性链的引入会使得聚酰亚胺的热稳定性相对下降，影响了酰亚胺作为电存储材料的应用。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种聚酰亚胺电存储新材料的制备方法。

一种聚酰亚胺电存储新材料的制备方法，制备技术方案如下：