[发明专利]单件式双频带天线以及接地面在审
| 申请号: | 201810865430.8 | 申请日: | 2018-08-01 |
| 公开(公告)号: | CN109390666A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
| 发明(设计)人: | E·麦高夫 | 申请(专利权)人: | PC-TEL公司 |
| 主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/24 |
| 代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
| 地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 短路支路 馈送 连接点 接地面 低频带辐射 高频带辐射 电耦合 双频带天线 成本效益 单片结构 全向天线 单件式 可调谐 双频带 紧凑 绝缘 安置 申请 | ||
1.一种元件,包括:
馈送连接点;
电耦合到所述馈送连接点的短路支路;
电耦合到所述短路支路的接地面;
电耦合到所述短路支路和所述馈送连接点的高频带辐射单元;以及
电耦合到所述短路支路和所述馈送连接点的低频带辐射单元,
其中,所述馈送连接点、所述短路支路、所述接地面、所述高频带辐射单元和所述低频带辐射单元作为单个单片结构而存在,
其中,所述高频带辐射单元和所述低频带辐射单元被架高于所述接地面并且被安置在所述短路支路的相对侧,并且
其中,所述馈送连接点与所述接地面绝缘,以提供电流从所述馈送连接点经过所述高频带辐射单元和所述短路支路或者经过所述低频带辐射单元和所述短路支路的路径。
2.如权利要求1所述的元件,进一步包括同轴电缆,所述同轴电缆具有耦合到所述接地面的屏蔽件以及耦合到所述馈送连接点的中间导体。
3.如权利要求2所述的元件,其中,所述屏蔽件耦合到所述接地面的顶侧,并且其中,所述馈送连接点是通过将所述馈送连接点架高于所述接地面而与所述接地面绝缘。
4.如权利要求2所述的元件,其中,所述屏蔽件耦合到所述接地面的底侧,并且其中,所述馈送连接点是通过将所述馈送连接点路由通过所述接地面的切口部分而与所述接地面绝缘,从而在所述接地面下方发生与所述中间导体的连接。
5.如权利要求1所述的元件,其中,所述高频带辐射单元包括与所述接地面平行的第一平面段以及与所述接地面垂直的第二平面段。
6.如权利要求1所述的元件,其中,所述低频带辐射单元包括与所述接地面平行的弯曲平面段。
7.如权利要求1所述的元件,其中,所述低频带辐射单元包括与所述接地面垂直的平面段。
8.如权利要求1所述的元件,其中,所述短路支路从与所述接地面相邻的宽端到与所述高频带辐射单元和所述低频带辐射单元相邻的窄端逐渐变细。
9.如权利要求1所述的元件,其中,所述低频带辐射单元包括第一长度,所述第一长度为低频带设计频率处的波长的四分之一并且为高频带设计频率处的波长的一半;所述高频带辐射单元包括第二长度,所述第二长度为所述高频带设计频率处的波长的四分之一;并且所述短路支路包括第三长度,所述第三长度在所述高频带设计频率处的波长的八分之一与四分之一之间,其中,所述第一长度是从所述短路支路的中间到所述低频带辐射单元的末端进行测量的,并且其中,所述第二长度是从所述短路支路的所述中间到所述高频带辐射单元的末端进行测量的。
10.如权利要求1所述的元件,其中,改变所述高频带辐射单元离所述接地面的第一高度,以调谐所述元件在高频带中的输入阻抗,并且其中,改变所述低频带辐射单元离所述接地面的第二高度,以调谐所述元件在低频带中的输入阻抗。
11.如权利要求1所述的元件,其中,当高频信号被馈送到所述馈送连接点时,所述低频带辐射单元具有使得电流经过所述高频带辐射单元和所述短路支路的相对较高的阻抗,并且其中,当低频信号被馈送到所述馈送连接点时,所述高频带辐射单元表现为电短路分流器,从而使电流经过所述低频带辐射单元和所述短路支路。
12.如权利要求1所述的元件,其中,所述单个单片结构是通过对单件金属进行冲压和成型而制成的。
13.如权利要求1所述的元件,其中,所述接地面耦合到外部结构。
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