[发明专利]图像传感器的形成方法有效
| 申请号： | 201810865024.1 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN108807445B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 赵培培;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;吴明 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 形成 方法 | ||
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面依次形成第一牺牲层以及第二牺牲层，其中，所述半导体衬底包括逻辑区域与像素区域；
采用第一刻蚀工艺对所述第二牺牲层、第一牺牲层以及所述半导体衬底进行刻蚀，以在所述逻辑区域与像素区域形成STI沟槽；
在所述逻辑区域，采用第二刻蚀工艺对所述STI沟槽底部的半导体衬底进行二次刻蚀，以形成STI延伸沟槽；
去除所述第二牺牲层；
向所述STI延伸沟槽以及所述STI沟槽内填充介质材料；
所述方法还包括：去除所述第一牺牲层；
在去除所述第一牺牲层之后，所述方法还包括：
在所述半导体衬底的表面形成多晶硅层；
对所述多晶硅层进行刻蚀，以得到栅极结构。
2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，
在去除所述第二牺牲层之前，还包括：采用填充材料填充所述STI延伸沟槽以及所述STI沟槽；
在去除所述第二牺牲层之后，还包括：去除所述填充材料。
3.根据权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述填充材料为光刻胶。
4.根据权利要求3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，去除所述填充材料的工艺参数选自：
刻蚀气体为含有氢气和氮气的氧气，或含有氮气的氧气，或含有氢气的氮气；
刻蚀温度为200℃至300℃。
5.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层、第二牺牲层均为氧化硅与氮化硅的堆叠层。
6.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺以及所述第二刻蚀工艺均为干法刻蚀工艺。
7.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层为氧化硅，去除所述第二牺牲层包括：
采用DHF湿法刻蚀去除所述氧化硅。
8.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层为氮化硅，去除所述第二牺牲层包括：
采用H3PO4湿法刻蚀去除所述氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
