[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

衬底以及位于所述衬底上的有源层；

分别与所述有源层电连接的源电极和漏电极；以及

栅电极和遮光部，位于所述有源层的远离所述衬底的一侧；

其中，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部位于所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间；

所述栅电极和所述遮光部由同一膜层制作而成，所述栅电极与所述遮光部接触，所述遮光部通过对所述膜层进行局部氧化获得；

所述栅电极包括金属材料，所述遮光部包括所述金属材料对应的氧化物。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述遮光部为绝缘层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

在垂直于所述衬底所在面的方向上，所述遮光部的厚度小于所述栅电极的厚度。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

在平行于所述衬底所在面且沿着所述源电极至所述漏电极的方向上，所述遮光部的宽度为所述栅电极的宽度的1/4～1/2。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述栅电极包括铜或铜合金、银或银合金，所述氧化物包括氧化铜、氧化银。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管，其中，

所述有源层包括沟道区和位于所述沟道区两端的导体化区，所述源电极和所述漏电极与所述导体化区电连接，并且

所述栅电极和所述遮光部在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，还包括位于所述有源层和所述衬底之间的遮光层，所述有源层的沟道区在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影重叠。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管，还包括位于所述有源层和所述栅电极之间的栅绝缘层，

所述栅电极和所述遮光部在所述衬底上的正投影与所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影重合。

9.一种阵列基板，包括权利要求1-8中任一项所述的薄膜晶体管。

10.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

提供衬底并在所述衬底上形成有源层；

在所述有源层的远离所述衬底的一侧形成栅电极和遮光部；以及

形成分别与所述有源层电连接的源电极和漏电极；

其中，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极形成在所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部形成在所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间；

所述栅电极和所述遮光部由同一膜层进行遮光性处理获得；

形成所述栅电极和所述遮光部包括：

在所述衬底上沉积导电材料薄膜和在所述导电材料薄膜上形成光刻胶；

对所述光刻胶进行构图以形成第一光刻胶图案，以所述第一光刻胶图案为掩模构图所述导电材料薄膜以形成第一导电层；

去除部分所述第一光刻胶图案以形成第二光刻胶图案，并暴露所述第一导电层的侧边部分；

对所述第一导电层进行氧化处理，所述第一导电层的未被所述第二光刻胶图案覆盖的所述侧边部分被氧化以形成所述遮光部，所述第一导电层的未被氧化部分形成栅电极；以及

去除所述第二光刻胶图案。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，

所述遮光部的材料为绝缘材料。