[发明专利]含有多条哑位线的多位元三维一次编程存储器在审
| 申请号： | 201810860764.6 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN108806756A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都三维艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省成都市天*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多位 三维一次编程存储器 存储 存储层 衬底电路 哑位线 耦合的 叠置 | ||
1.一种多位元三维一次编程存储器（多位元3D-OTP），其特征在于含有：
一含有晶体管的半导体衬底(0)；
一堆叠在该半导体衬底(0)上方的OTP存储阵列(0A)，该OTP存储阵列(0A)含有多个OTP存储元(1a0-1zz)，每个存储元含有一反熔丝膜(22) ，所述多个OTP存储元(1a0-1zz)包括第一未编程的OTP哑存储元(1a0)以及第二、第三和第四已编程的OTP哑存储元(1a1, 1a2,1a3)；
一条与该第一哑存储元(1a0)耦合的第一哑位线(31a)；
一条与该第二哑存储元(1a1)耦合的第二哑位线(31b)；
一条与该第三哑存储元(1a2)耦合的第三哑位线(31c)，所述第二和第三哑存储元(1a1, 1a2)处于相同状态；
一条与该第四哑存储元(1a3)耦合的第四哑位线(31d) ，所述第二和第四哑存储元(1a1, 1a3)处于不同状态；
多个将所述OTP存储元与所述半导体衬底(0)耦合的接触通道孔(20av)；
一形成在所述半导体衬底(0)上的第一差分放大器(58a)，该第一差分放大器(58a)含有第一输入(53a)，该第一输入(53a)与所述第一和第二哑位线(31a, 31b)耦合；
一形成在所述半导体衬底(0)上的第二差分放大器(58b)，该第二差分放大器(58b)含有第二输入(53b)，该第二输入(53b)与所述第三和第四哑位线(31c, 31d)耦合；
所述OTP存储元具有N（N>2）种状态，不同状态OTP存储元的编程电流不同。
2.根据权利要求1所述的多位元3D-OTP，其特征还在于：所述第二OTP哑存储元(1a1)的电阻大于所述第四OTP哑存储元(1a3)。
3.根据权利要求1所述的多位元3D-OTP，其特征还在于：所述第二OTP哑存储元(1a1)的编程电流小于所述第四OTP哑存储元(1a3)。
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