[发明专利]一种用于降解土霉素废水的g-C3N4-PANI复合光催化材料的制备方法在审
| 申请号： | 201810860607.5 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109126868A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 孙剑辉;谭露;董淑英;王淼 | 申请（专利权）人： | 河南师范大学 |
| 主分类号： | B01J31/06 | 分类号： | B01J31/06;C02F1/30;C02F101/34;C02F101/38 |
| 代理公司： | 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139 | 代理人： | 路宽 |
| 地址： | 453007 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合光催化材料 土霉素废水 冰浴条件 降解 制备 技术方案要点 光催化性能 光吸收性能 可见光响应 模拟太阳光 真空干燥箱 超声混合 反复洗涤 高效降解 合成技术 搅拌反应 硫酸溶液 研磨 苯胺 抽滤 酒精 | ||
1.一种用于降解土霉素废水的g-C3N4-PANI复合光催化材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：
步骤S1：将2.0925g g-C3N4加入到100mL摩尔浓度为0.5mol/L的硫酸溶液中并超声混合均匀得到溶液A；
步骤S2：在冰浴条件下向步骤S1得到的溶液A中加入63.4-512.9μL苯胺，搅拌混合均匀得到溶液B；
步骤S3：继续在冰浴条件下向步骤S2得到的溶液B中以3-5s每滴的速率加入350-2813μL摩尔浓度为2mol/L的(NH4)2S2O8，在冰浴条件下继续搅拌反应8h得到溶液C；
步骤S4：将步骤S3得到的溶液C进行抽滤，再用水和酒精反复洗涤三次，然后置于真空干燥箱中于40℃干燥24h后研磨得到g-C3N4-PANI复合光催化材料。
2.根据权利要求1所述的用于降解土霉素废水的g-C3N4-PANI复合光催化材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：
步骤S1：将2.0925g g-C3N4加入到100mL摩尔浓度为0.5mol/L的硫酸溶液中并超声混合均匀得到溶液A；
步骤S2：在冰浴条件下向步骤S1得到的溶液A中加入227.9μL苯胺，搅拌混合均匀得到溶液B；
步骤S3：继续在冰浴条件下向步骤S2得到的溶液B中以3-5s每滴的速率加入1250μL摩尔浓度为2mol/L的(NH4)2S2O8，在冰浴条件下继续搅拌反应8h得到溶液C；
步骤S4：将步骤S3得到的溶液C进行抽滤，再用水和酒精反复洗涤三次，然后置于真空干燥箱中于40℃干燥24h后研磨得到g-C3N4-PANI复合光催化材料。
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