[发明专利]基板干燥方法和基板处理装置有效
| 申请号: | 201810858082.1 | 申请日: | 2018-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN109427623B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
| 发明(设计)人: | 奥谷学;菊本宪幸;吉原直彦;阿部博史 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 干燥 方法 处理 装置 | ||
1.一种基板干燥方法,使具有图案的基板的表面干燥,其中,所述基板干燥方法包括:
升华剂液膜配置工序,在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜;
高蒸汽压液体配置工序,在配置于所述基板的所述表面的升华剂的液膜之上配置具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体的液膜;
气化冷却工序,伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却,由此,使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜;以及
升华工序,使所述升华剂膜升华,
所述高蒸汽压液体的液膜所含的高蒸汽压液体具有比所述升华剂的液膜所含的升华剂的凝固点高的液温。
2.根据权利要求1所述的基板干燥方法,其中,
所述高蒸汽压液体配置工序包括高蒸汽压液体喷雾工序,在所述高蒸汽压液体喷雾工序中,从上方向配置于所述基板的所述表面的升华剂的液膜雾状喷出高蒸汽压液体的液滴。
3.根据权利要求1所述的基板干燥方法,其中,
所述高蒸汽压液体配置工序包括从与所述升华剂液膜配置工序中用于供给升华剂的喷嘴共同的喷嘴供给高蒸汽压液体的工序。
4.根据权利要求1所述的基板干燥方法,其中,
所述高蒸汽压液体配置工序包括从与所述升华剂液膜配置工序中用于供给升华剂的升华剂喷嘴不同的高蒸汽压液体喷嘴供给高蒸汽压液体的工序,
所述基板干燥方法还包括在从升华剂喷嘴供给升华剂之后对升华剂喷嘴加热的升华剂喷嘴加热工序。
5.一种基板干燥方法,使具有图案的基板的表面干燥,其中,所述基板干燥方法包括:
升华剂液膜配置工序,在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜;
高蒸汽压液体配置工序,在配置于所述基板的所述表面的升华剂的液膜之上配置具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体的液膜;
气化冷却工序,伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却,由此,使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜;以及
升华工序,使所述升华剂膜升华,
所述高蒸汽压液体的液膜所含的高蒸汽压液体具有比所述升华剂的液膜所含的升华剂小的比重,
所述高蒸汽压液体配置工序包括连续流状供给工序,在所述连续流状供给工序中,从上方向配置于所述基板的所述表面的升华剂的液膜连续流状地供给高蒸汽压液体,
基于高蒸汽压液体和升华剂的比重差形成所述高蒸汽压液体的液膜。
6.一种基板干燥方法,使具有图案的基板的表面干燥,其中,所述基板干燥方法包括:
升华剂液膜配置工序,在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜;
高蒸汽压液体配置工序,在配置于所述基板的所述表面的升华剂的液膜之上配置具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体的液膜;
气化冷却工序,伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却,由此,使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜;
升华工序,使所述升华剂膜升华;以及
在所述气化冷却工序之前,向所述基板的与所述表面相反侧的面即背面供给具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压的第二高蒸汽压液体且之后停止供给第二高蒸汽压液体的工序。
7.一种基板干燥方法,使具有图案的基板的表面干燥,其中,所述基板干燥方法包括:
升华剂液膜配置工序,在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜;
高蒸汽压液体配置工序,在配置于所述基板的所述表面的升华剂的液膜之上配置具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体的液膜;
气化冷却工序,伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却,由此,使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜;
升华工序,使所述升华剂膜升华;
基板旋转工序,与所述升华剂液膜配置工序和所述气化冷却工序中的至少一个并行,使所述基板以规定的旋转轴线为中心旋转,以及
高速旋转工序,与所述升华工序并行,使所述基板以比所述基板旋转工序快的速度并以规定的旋转轴线为中心旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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