[发明专利]一种耐高温结构吸波型陶瓷基复合材料的快速制备方法有效

专利信息
申请号: 201810851203.X 申请日: 2018-07-30
公开(公告)号: CN109020588B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 叶昉;殷小玮;莫然;成来飞;张立同 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/80 分类号: C04B35/80;C04B35/591;C04B35/573;C04B35/583;C04B35/622
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 耐高温 结构 吸波型 陶瓷 复合材料 快速 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种耐高温结构吸波型陶瓷基复合材料的快速制备方法,其特征在于步骤如下:

步骤1:将SiC纤维预制体进行超声清洗、烘干;

步骤2:在40~100℃的蒸馏水中加入羧甲基纤维素钠和BN粉体、Si3N4粉体或SiC粉体三种中的任一种,其中:蒸馏水占40~70wt.%,羧甲基纤维素钠占0.2~0.6wt.%,BN、Si3N4或SiC占29.8~59.8wt.%;搅拌均匀后倒入球磨罐,使用粒径为5~12mm的刚玉球磨10~60h,制成浆料;

步骤3:将浆料和预制体放入同一密闭容器中,保持密闭容器的绝对压力为100~4000Pa保压10~30min,然后将预制体浸没在浆料中继续抽真空;当密闭容器内的绝对压力为100~4000Pa时,保压10~30min;然后给密闭容器中通入气氛,当容器压力达到0.3~3MPa时保持10~50min;从浆料中取出预制体,放入冷冻干燥机中冷冻2~15h,冷冻温度为-50~-80℃,继续真空冷冻干燥2~40h,保持干燥机的绝对压力为5~100Pa,干燥温度为40~80℃;重复前述浸渍和干燥的步骤,直至预制体中BN、Si3N4、SiC的体积含量达到25~36vol.%;

步骤4:在经步骤3处理的预制体表面涂覆粒径为2~45μm的工业用硅粉,在绝对压力为100~4000Pa的高温真空炉中以3~30℃/min的升温速率升温至1450~1600℃,保温0.2~1h,使硅熔融浸渗到预制体中,再以1~30℃/min的降温速率降温到1300℃~1400℃保温0.5~4h,使其充分反应,再以1~30℃/min的降温速率降温到室温,得到耐高温结构吸波型陶瓷基复合材料;

所述SiC纤维预制体的表面制备均匀致密的薄BN界面,内部制备致密的薄BN界面和Si3N4基体。

2.根据权利要求1所述耐高温结构吸波型陶瓷基复合材料的快速制备方法,其特征在于:所述步骤2中的SiC以C+Si3N4混合粉体替代。

3.根据权利要求1所述耐高温结构吸波型陶瓷基复合材料的快速制备方法,其特征在于:所述BN粉体中的BN为六方BN、立方BN或菱方BN。

4.根据权利要求1所述耐高温结构吸波型陶瓷基复合材料的快速制备方法,其特征在于:所述SiC为α-SiC或β-SiC。

5.根据权利要求1或2所述耐高温结构吸波型陶瓷基复合材料的快速制备方法,其特征在于:所述Si3N4粉体为α-Si3N4或β-Si3N4

6.根据权利要求2所述耐高温结构吸波型陶瓷基复合材料的快速制备方法,其特征在于:所述C包括但不限于炭黑、石墨。

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