[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法和薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

栅极和第一极，所述栅极和所述第一极同层设置在所述衬底上；

有源层，所述有源层形成在所述第一极上，所述有源层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述第一极在所述衬底上的正投影；

第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极、所述第一极、所述有源层、所述衬底在所述栅极与所述有源层之间露出的部分，以及所述衬底在所述栅极与所述第一极之间露出的部分；

第二极，所述第二极形成在所述第一绝缘层上，所述第二极在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影，且所述第二极通过所述第一绝缘层上的过孔与所述有源层连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一极在层叠方向上的厚度值小于所述栅极在所述层叠方向上的厚度值，且所述栅极与所述第一极之间的厚度差值小于预设差值。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极包括层叠设置的第一金属膜层和第二金属膜层，所述第一金属膜层靠近所述衬底设置，所述第一极包括所述第一金属膜层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二极在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述第一极在所述衬底上的正投影。

5.根据权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极为环形结构，所述第一极至少部分位于所述环形结构围成的区域内。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述环形结构具有开口，所述第一极包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述环形结构围成的区域内，所述第二部分与所述第一部分连接并通过所述开口延伸出所述环形结构；所述有源层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一极的第一部分在所述衬底上的正投影。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一极为漏极，所述第二极为源极，所述薄膜晶体管上还设置有：

第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖在所述第一绝缘层及所述第二极上，且所述第二绝缘层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一极的第二部分在所述衬底上的正投影；

像素电极层，所述像素电极层覆盖在所述第二绝缘层上，所述像素电极层通过过孔与所述第一极的第二部分连接。

8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的薄膜晶体管；所述第一极为源极，所述第二极为漏极时，所述显示面板还包括：

源极连接层，同列薄膜晶体管的源极通过所述源极连接层连接，所述源极连接层与薄膜晶体管的漏极或像素电极层同层设置。

9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上通过构图工艺同层形成栅极和第一极；

在所述第一极上形成有源层，所述有源层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述第一极在所述衬底上的正投影；

形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极、所述第一极、所述有源层、所述衬底在所述栅极与所述有源层之间露出的部分，以及所述衬底在所述栅极和所述第一极之间露出的部分；

在所述第一绝缘层上形成第二极，所述第二极在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影，且所述第二极通过所述第一绝缘层上的过孔与所述有源层连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上通过构图工艺同层形成栅极和第一极，包括：

在所述衬底上依次形成第一金属膜层和第二金属膜层；

通过针对所述第一金属膜层和所述第二金属膜层的第一刻蚀液对所述金属层进行刻蚀，形成栅极和第一极图案；

通过针对所述第二金属膜层的第二刻蚀液对所述第一极图案进行刻蚀，形成第一极。