[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810847567.0 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109037440A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 钟文敏;刘秋香;唐新桂;曾思明 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 氧化物薄膜 双钙钛矿 底电极 顶电极 衬底 制备方法和应用 背离 半导体技术领域 退火 阻变特性 低阻态 高阻态 介质层 薄膜 转化 | ||
1.一种阻变存储器，其特征在于，包括：衬底、底电极、第一顶电极、第二顶电极和双钙钛矿氧化物薄膜；
所述底电极设置在所述衬底的表面；
所述双钙钛矿氧化物薄膜和所述第一顶电极均设置在所述底电极背离所述衬底的一侧；
所述第二顶电极设置在所述双钙钛矿氧化物薄膜背离所述底电极的一侧；
所述双钙钛矿氧化物薄膜选自Bi2NiMnO6薄膜、Bi2Ni0.5Mn1.5O6薄膜、Bi2Ni0.8Mn1.2O6薄膜或Bi2Ni0.1Mn1.9O6薄膜。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述双钙钛矿氧化物薄膜为Bi2NiMnO6薄膜。
3.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述衬底选自导电玻璃、石英玻璃、硅片或云母。
4.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述底电极选自掺氟氧化锡(FTO)、氧化锡(ITO)、SrTiO3、SrTiO3:Nb或LaSr0.3Mn0.7O3。
5.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一顶电极与所述第二顶电极相同；
所述第一顶电极和所述第二顶电极均选自Au、Pt、Ag或Al。
6.权利要求1至5任意一项所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：制备双钙钛矿氧化物的前驱液；
步骤2：利用所述前驱液在所述底电极背离所述衬底的一侧制备双钙钛矿氧化物薄膜；
步骤3：在所述双钙钛矿氧化物薄膜背离所述底电极一侧制备第二顶电极，在所述底电极背离衬底的一侧制备第一顶电极，得到阻变存储器。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤2具体为：将所述前驱液滴加在所述底电极表面，烘干后，放入平台炉，通入气体，进行退火，得到所述底电极表面的所述双钙钛矿氧化物薄膜。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述退火温度为400℃～550℃；
所述退火时间为10min～60min。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述气体选自空气、氮气、氧气或稀有气体。
10.权利要求1至5任意一项所述的阻变存储器或权利要求6至9任意一项所述的制备方法制得的阻变存储器在计算机中的应用。
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