[发明专利]显示面板、显示面板的检修方法及显示装置有效
申请号: | 201810847557.7 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109003996B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 李飞 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 检修 方法 显示装置 | ||
本发明公开一种显示面板、显示面板的检修方法及显示装置,显示面板包括:衬底基板;阵列基板,包括多个驱动薄膜晶体管;与驱动薄膜晶体管的第一极一一对应电连接的第一电极;发光结构,包括第一发光二极管和第二发光二极管;第二电极,设置在发光结构远离阵列基板的一侧;各子像素单元中,第一发光二极管的第一LED电极与第一电极电连接,第三LED电极与第二电极电连接;第二发光二极管的第二LED电极与第一电极之间设置有第一绝缘层,第四LED电极与第二电极电连接;或者,第二发光二极管的第四LED电极与第二电极之间设置有第二绝缘层,第二LED电极与第一电极电连接。有利于提升修复成功率,降低成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示面板、显示面板的检修方法及显示装置。
背景技术
随着微型发光二极管发光二极管(Micro LED)和次毫米发光二极管(Mini LED)的技术持续发展,Micro LED和Min LED被越来越多的应用到显示装置中。
其中,有源矩阵发光二极管(Active Matrix/Micro Light Emitting Diode,AMMicro LED)面板不管是在画质还是在效能上,都具有TFT LCD不可比拟的优势。在显示效能方面,AM Micro LED反应速度较快、对比度更高、视角也更广,而且AM Mirco LED具有自发光的特色,因此不需要背光源,比TFTLCD能够做的更轻薄,更省电。因此,AM Micro LED被称为下一代显示技术。
现阶段,如何提升显示面板的修复成功率成为现阶段亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示面板、显示面板的检修方法及显示装置,在每个子像素单元中设置一个第一发光二极管和至少一个第二发光二极管,当第一发光二极管出现异常时,第二发光二极管能够发挥显示功能,既有利于提升修复成功率,又有利于降低成本。
第一方面,本申请公开一种显示面板,其特征在于,设置有显示区和围绕所述显示区的非显示区,在所述显示区设置有多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素单元;包括:
衬底基板;
阵列基板,设置在所述衬底基板上,包括多个驱动薄膜晶体管;
多个第一电极,设置在所述阵列基板远离所述衬底基板的一侧并与所述驱动薄膜晶体管的第一极一一对应电连接;
发光结构,设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,包括多个第一发光二极管和多个第二发光二极管,所述第一发光二极管的第一LED电极和所述第二发光二极管的第二LED电极靠近所述阵列基板设置,所述第一发光二极管的第三LED电极和所述第二发光二极管的第四LED电极远离所述阵列基板设置;
第二电极,设置在所述发光结构远离所述阵列基板的一侧;
其中,各所述子像素单元设置有一个所述驱动薄膜晶体管、一个所述第一发光二极管和至少一个所述第二发光二极管;
各所述子像素单元中,所述第一发光二极管的第一LED电极与所述第一电极电连接,第三LED电极与所述第二电极电连接;
所述第二发光二极管的第二LED电极与所述第一电极之间设置有第一绝缘层,第四LED电极与所述第二电极电连接;或者,所述第二发光二极管的第四LED电极与所述第二电极之间设置有第二绝缘层,第二LED电极与所述第一电极电连接。
第二方面,本申请提供一种显示面板的检修方法,其特征在于,所述显示面板设置有显示区和围绕所述显示区的非显示区,在所述显示区设置有多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素单元;包括:
衬底基板;
阵列基板,设置在所述衬底基板上,包括多个驱动薄膜晶体管;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810847557.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的