[发明专利]基于钒酸铋颗粒薄膜的神经仿生器件、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种基于钒酸铋颗粒薄膜的神经仿生器件，其特征是，包括底电极，在所述底电极上制有由BiVO₄颗粒薄膜构成的功能层，在所述功能层上制有顶电极；所述底电极为FTO层，所述顶电极为Ti电极，从而形成Ti/BiVO₄/FTO结构的器件。

2.根据权利要求1所述的基于钒酸铋颗粒薄膜的神经仿生器件，其特征是，所述BiVO₄颗粒薄膜的厚度为1nm~200nm。

3.一种基于钒酸铋颗粒薄膜的神经仿生器件的制备方法，其特征是，包括如下步骤：

a、在衬底上制备底电极；所述底电极为FTO层；

b、在所述底电极上制备BiVO₄颗粒薄膜作为功能层；

c、在所述BiVO₄颗粒薄膜上制备顶电极，所述顶电极为Ti电极，所形成的器件结构为Ti/BiVO₄/FTO。

4.根据权利要求3所述的基于钒酸铋颗粒薄膜的神经仿生器件的制备方法，其特征是，步骤b中制备BiVO₄颗粒薄膜的工艺为电沉积法、水热法、溶剂热法、溶剂诱导法或表面活性剂辅助自组装法。

5.根据权利要求4所述的基于钒酸铋颗粒薄膜的神经仿生器件的制备方法，其特征是，步骤b中采用电沉积法制备BiVO₄颗粒薄膜，具体如下：

b1、将碘化钾溶解于去离子水中，再加入五水合硝酸铋，搅拌均匀后加入稀HNO₃，形成第一溶液；

b2、将对苯醌溶于无水乙醇，形成第二溶液；

b3、将第一溶液和第二溶液混合，静置；

b4、采用电沉积法，制备碘氧化铋薄膜；

b5、配置偏钒酸铵溶液，将偏钒酸铵溶液与步骤b4中的碘氧化铋薄膜转入反应釜，制备BiVO₄颗粒薄膜。

6.根据权利要求5所述的基于钒酸铋颗粒薄膜的神经仿生器件的制备方法，其特征是，步骤b4中采用电沉积法制备碘氧化铋薄膜时，工作电压为-0.1V，沉积时间300s；步骤b5中反应釜内，水热温度为180℃，反应时长18小时。

7.根据权利要求3所述的基于钒酸铋颗粒薄膜的神经仿生器件的制备方法，其特征是，步骤b中所制备的BiVO₄颗粒薄膜的厚度为1nm~200nm。

8.一种权利要求1所述的神经仿生器件在模拟生物突触行为方面的应用。