[发明专利]OLED封装结构、OLED封装方法及显示面板有效
申请号: | 201810846848.4 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109037478B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 李国伟;孙泉钦;李端明;杨晓东;郜明浩;何宝轲;刘丹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;王卫忠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 封装 结构 方法 显示 面板 | ||
本公开涉及显示技术领域,提出一种OLED封装结构,该OLED封装结构包括封装层、氧化硅层以及层状封装结构;氧化硅层设于封装层之上;层状封装结构设于氧化硅层之上。氧化硅层为无机膜层,不吸水,且具有一定阻水氧能力,能够防止水氧进入器件内部,提升产品信赖性。氧化硅层的折射率为1.5左右,与氟化锂膜层相近,不会影响出光效率。氧化硅层也为无机膜层,能对下部有机发光层起到保护作用。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED封装结构、OLED封装方法及安装有该OLED封装结构的显示面板。
背景技术
随着柔性OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)屏幕应用领域的不断拓展,对柔性OLED器件在恶劣环境下的信赖性要求也越来越高。
参照图1所示的相关技术中OLED封装结构的结构示意图;在柔性OLED器件的结构中CPL(capping layer,封盖层)和TFE(Thin Film Encapsulation,薄膜封装)结构之间蒸镀有一层LiF(氟化锂)膜层6。CPL形成在金属阴极3之上,通过CPL可以提高出光,CPL折射率较大,吸光系数较小。LiF为低折射率无机膜层,在OLED器件中起到调节出光和保护下部有机膜层的作用,但是LiF膜层韧性差,易吸水膨胀。氟化锂膜层6易脱落,且LiF膜层的Shadow(阴影部)过大形成水氧通道9,造成水氧通过水氧通道9进入器件内部引起信赖性失效等不良。
因此,有必要研究一种新的OLED封装结构、OLED封装方法及安装有该OLED封装结构的显示面板。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的相关技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述相关技术的容易引起信赖性失效的不足,提供一种不容易引起信赖性失效的OLED封装结构、OLED封装方法及安装有该OLED封装结构的显示面板。
本公开的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地将从描述中变得显然,或者可以通过本公开的实践而习得。
根据本公开的一个方面,提供一种OLED封装结构,包括:
封装层;
氧化硅层,设于所述封装层之上;
层状封装结构,设于所述氧化硅层之上。
在本公开的一种示例性实施例中,所述氧化硅层位于OLED封装结构的第一屏障的靠近有效显示区域的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中,层状封装结构为薄膜封装结构。
在本公开的一种示例性实施例中,所述薄膜封装结构包括:
第一无机层,设于所述氧化硅层之上;
有机层,设于所述第一无机层之上;
第二无机层设于所述有机层之上。
在本公开的一种示例性实施例中,所述氧化硅层以及所述第一无机层均通过等离子体增强化学的气相沉积法形成。
在本公开的一种示例性实施例中,
所述氧化硅层的厚度大于等于50nm且小于等于100nm。
根据本公开的一个方面,提供一种OLED封装方法,包括:
形成封装层;
在所述封装层之上形成氧化硅层;
在所述氧化硅层之上形成层状封装结构。
在本公开的一种示例性实施例中,在所述氧化硅层之上形成层状封装结构,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择