[发明专利]石墨纸、石墨纸的制作方法、太阳能电池与其制作方法在审
申请号: | 201810846455.3 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN110854214A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 罗轶 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;霍文娟 |
地址: | 102200 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 制作方法 太阳能电池 与其 | ||
1.一种石墨纸,其特征在于,所述石墨纸的导热系数大于或等于1500W/mK。
2.一种石墨纸的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
对聚酰亚胺薄膜进行碳化处理,所述碳化处理的温度在500~1400℃之间;以及
对经过所述碳化处理的所述聚酰亚胺薄膜进行石墨化处理,得到石墨纸,所述石墨化处理的温度在2000~3000℃之间。
3.一种石墨纸,其特征在于,所述石墨纸的导热系数大于或等于1500W/mK,且所述石墨纸采用权利要求2所述的制作方法制作得到。
4.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括依次叠置设置的第一电极层(10)、空穴传输层(20)、吸收层(30)、电子传输层(40)和第二电极层(50),所述第一电极层(10)包括石墨纸,所述第二电极层(50)为透明电极层,所述石墨纸为权利要求1所述的石墨纸或采用权利要求2所述的制作方法制作得到的石墨纸。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层(20)包括依次叠置设置的第一空穴传输子层(21)和第二空穴传输子层(22),所述第一空穴传输子层(21)靠近所述第一电极层(10)设置,所述第二空穴传输子层(22)设置在所述第一空穴传输子层(21)与所述吸收层(30)之间。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一空穴传输子层(21)的材料包括具有共轭效应的导电聚合物,进一步优选所述第一空穴传输子层(21)的材料包括P3HT和/或PTAA。
7.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述吸收层(30)为钙钛矿吸收层。
8.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
制作第一待压合结构,所述第一待压合结构包括第一电极层(10)和至少部分的空穴传输层(20),所述第一电极层(10)包括石墨纸,所述石墨纸的导热系数大于或等于1500W/mK;
制作第二待压合结构,所述第二待压合结构包括依次叠置设置的第二电极层(50)、电子传输层(40)和吸收层(30),所述第二电极层(50)为透明电极层,当所述第一待压合结构包括部分所述的空穴传输层(20)时,所述第二待压合结构还包括剩余的所述空穴传输层(20),剩余的所述空穴传输层(20)位于所述第二电极层(50)的远离吸收层(30)的表面上;以及
将所述第一待压合结构和所述第二待压合结构压合,使得所述吸收层(30)位于所述空穴传输层(20)和所述电子传输层(40)之间,形成太阳能电池。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述空穴传输层(20)包括第一空穴传输子层(21),所述第一待压合结构的制作过程还包括:
提供第一电极层(10);以及
在所述第一电极层(10)的表面上设置第一空穴传输子层(21)。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述空穴传输层(20)还包括第二空穴传输子层(22),所述第二待压合结构的制作方法还包括:
提供第二电极层(50);
在所述第二电极层(50)的表面上依次设置所述吸收层(30)和第二空穴传输子层(22),
在所述压合后,所述第一空穴传输子层(21)和所述第二空穴传输子层(22)接触设置。
11.根据权利要求8至10中的任一项所述的制作方法,其特征在于,所述第一电极层(10)的制作过程包括:
对聚酰亚胺薄膜依次进行碳化处理和石墨化处理,得到所述第一电极层(10),优选所述碳化处理的温度在500~1400℃之间,所述石墨化处理的温度在2000~3000℃之间。
12.根据权利要求8至10中的任一项所述的制作方法,其特征在于,所述压合的过程包括:
将所述第一待压合结构和所述第二待压合结构进行模压,得到预太阳能电池;
对所述预太阳能电池进行退火,
优选所述模压的压力在1~5MPa之间,进一步优选所述退火的温度在60~150℃之间,所述退火的时间在5~30min之间;更进一步优选所述退火的温度在80~120℃之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的