[发明专利]可编程直流电子负载浪涌电流抑制方法及电路在审

专利信息
申请号: 201810845246.7 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN109038528A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 张宁;咸竞天;郑家宁;吴瑾 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;G01R31/40
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 曹卫良
地址: 130033 吉林省长春*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 直流电子负载 空间载荷 浪涌电流 可编程 配电单元 性能测试 配电 抑制电路 母线 继电器 电路 直流稳压电源 控制继电器 上下电控制 单机功率 浪涌抑制 模拟母线 闭合 回线 开合 可用 单机 电源 供电
【权利要求书】:

1.一种可编程直流电子负载浪涌电流抑制方法,用于空间载荷供配电性能测试,其特征在于,包括如下步骤:

通过高精度直流稳压电源U1模拟母线电源为空间载荷配电单元U2进行供电;

通过可编程直流电子负载U4模拟用电单机功率;

空间载荷配电单元U2通过控制继电器开合实现对模拟用电单机的上下电控制;

在可编程直流电子负载U4母线及母线回线之间接入浪涌电流抑制电路U3,并通过浪涌电流抑制电路U3对空间载荷配电单元U2在继电器闭合瞬间可编程直流电子负载U4产生的巨大浪涌电流进行抑制。

2.如权利要求1所述的可编程直流电子负载浪涌电流抑制方法,其特征在于,

浪涌电流抑制电路U3主要包括分压电阻R1、R2,稳压二极管D1,RC电路R3、C1,N沟道MOSFET N1,限流电阻R4;

浪涌电流抑制电路U3中的MOSFETN1的栅极G接RC电路,源极S接可编程直流电子负载U4输出负端,漏极D接继电器负端,限流电阻R4与MOSFET N1并联。

3.如权利要求1所述的可编程直流电子负载浪涌电流抑制方法,其特征在于,可编程直流电子负载U4采用通用货架产品,空间载荷配电单元U2采用继电器进行供电母线开关控制,继电器包括固体继电器和电磁继电器,浪涌电流抑制电路U3串联到空间载荷配电单元U2和可编程直流电子负载U4之间。

4.如权利要求2所述的可编程直流电子负载浪涌电流抑制方法,其特征在于,浪涌电流抑制电路U3的限流电阻R4的阻值需要根据浪涌电流指标要求和母线电压根据欧姆定律计算得到,配电单元继电器闭环瞬间,浪涌电阻R4要流过大电流。

5.如权利要求2所述的可编程直流电子负载浪涌电流抑制方法,其特征在于,浪涌电流抑制电路U3中的N沟道MOSFET N1型号选择N1,选择需要综合考虑指标包括VGS、VDS、ID、SOA参数,需要在N1上安装散热片,在散热片和N1散热区涂导热硅胶。

6.一种可编程直流电子负载浪涌电流抑制电路,用于空间载荷供配电性能测试,其特征在于,包括:高精度直流稳压电源U1、空间载荷配电单元U2、浪涌电流抑制电路U3、可编程直流电子负载U4;

通过高精度直流稳压电源U1模拟母线电源为空间载荷配电单元U2进行供电;

通过可编程直流电子负载U4模拟用电单机功率;

空间载荷配电单元U2通过控制继电器开合实现对模拟用电单机的上下电控制;

在可编程直流电子负载U4母线及母线回线之间接入浪涌电流抑制电路U3,并通过浪涌电流抑制电路U3对空间载荷配电单元U2继电器闭合瞬间可编程直流电子负载U4产生的巨大浪涌电流进行抑制。

7.如权利要求6所述的可编程直流电子负载浪涌电流抑制电路,其特征在于,浪涌电流抑制电路U3主要包括分压电阻R1、R2,稳压二极管D1,RC电路R3、C1,N沟道MOSFET N1,限流电阻R4;

浪涌电流抑制电路U3中的MOSFETN1的栅极G接RC电路,源极S接可编程直流电子负载U4输出负端,漏极D接继电器负端,限流电阻R4与MOSFET N1并联。

8.如权利要求6所述的可编程直流电子负载浪涌电流抑制电路,其特征在于,可编程直流电子负载U4采用通用货架产品,空间载荷配电单元U2采用继电器进行供电母线开关控制,继电器包括固体继电器和电磁继电器,浪涌电流抑制电路U3串联到空间载荷配电单元U2和可编程直流电子负载U4之间。

9.如权利要求7所述的可编程直流电子负载浪涌电流抑制电路,其特征在于,浪涌电流抑制电路U3的限流电阻R4的阻值需要根据浪涌电流指标要求和母线电压根据欧姆定律计算得到,配电单元继电器闭环瞬间,浪涌电阻R4要流过大电流。

10.如权利要求7所述的可编程直流电子负载浪涌电流抑制电路,其特征在于,浪涌电流抑制电路U3中的N沟道MOSFET N1型号选择N1,选择需要综合考虑指标包括VGS、VDS、ID、SOA参数,需要在N1上安装散热片,在散热片和N1散热区涂导热硅胶。

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