[发明专利]大功率3D集成式三相EMI滤波器

权利要求书

1.一种大功率3D集成式三相EMI滤波器，包括三相平面型共模电感(1)和三个平板型共模电容(2)，其特征在于：

所述三相平面型共模电感(1)，包括上下重叠的四层平面磁芯(11a，11b，11c，11d)、上下分离的两组三相水平绕组(12a，12b)、三相竖直绕组(13)和陶瓷基板(14)，四层平面磁芯上打有两排同心孔；第一组三相水平绕组(12a)位于第一平面磁芯(11a)的上表面,第二组三相水平绕组(12b)位于第四平面磁芯(11d)的下表面，三相竖直绕组(13)位于四层平面磁芯的通孔中，使得绕组与磁芯相互包围；磁芯与绕组之间、绕组与绕组之间均通过绝缘陶瓷基板(14)隔离；

所述三个平板型共模电容(2)结构相同，每个电容包括介质材料(21)、绝缘支撑(22)和冲压式导体层(23)；介质材料(21)夹在两层冲压式导体层(23)中间，并通过冲压式导体层上的凸起弹片弹性压接，该凸起弹片与介质材料表面喷涂的导电镀层相接触实现电气连接，绝缘支撑(22)置于两层冲压式导体(23)中间，且在绝缘支撑(22)上固定有介质材料(21)；这三个平板型共模电容(2)叠层贴在三相平面型共模电感(1)的侧面，并通过冲压式导体层(23)与三相平面型共模电感(1)实现电气连接，形成3D互联架构。

2.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述四层平面磁芯(11a，11b，11c，11d)分别采用具有不同特性的软磁性材料，且各层根据设计需求以任意方式进行排列组合。

3.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述上下分离的两组三相水平绕组(12)与所述三相竖直绕组(13)，在第一平面磁芯(11a)上表面和第四平面磁芯(11d)下表面的各个通孔位置处，每一相各自对应进行连接。

4.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述的陶瓷基板(14)，包括竖直部分(141)和上下分离的两组水平部分(142a，142b)，竖直部分(141)为套在三相竖直绕组(13)上的管状壳体，第一组水平部分(142a)为开有凹槽的平板型结构，叠层放置于第一平面磁芯(11a)上表面，第一组三相水平绕组(12a)嵌在该凹槽内，第二组水平部分(142b)也为开有凹槽的平板型结构，叠层放置于第四平面磁芯(11d)下表面，第二组三相水平绕组(12b)嵌在该凹槽内。

5.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，每个电容的介质材料(21)均采用介电常数在3000～6000的钛酸钡材料，且在钛酸钡材料表面喷涂有导电镀层。